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SK Hynix 4D PLC NAND 技術 5 bit MSC 單元   速度、壽命幅提升 【5bit PLC 時代 ... ㊙️】SK Hynix 近日宣布成功開發「4D 2.0 PLC NAND Flash」,採用 5bit Multi Site Cell (MSC) 單元設計,將傳統 NAND Cell 單元一分為二,令 5bit 資料所需的電壓層級數目降低了三分之二。相較傳統 MLC (Multi Level Cell) 設計,令 PLC SSD 同時具備高容量、高速度及高耐用性。

據了解,SK Hynix 早於 2022 年開始研發這項「4D 2.0 PLC NAND Flash」,其設計理念就是要解決電壓層級屏障,因為由 4-bit QLC 增加至 5-bit PLC,並非只是數字加了 1 那麼簡單。

我們簡單了解一下 NAND 單元的運作原理。它是透過測量單元開始導通電流的閾值電壓來讀取電荷,以導通、不導通再加上閾值電壓來代表二進位狀態訊號。以 1-bit SLC 單元為例,是使用不導通和導通電壓來代表 0 或 1,因此 1-bit SLC 單元只有兩種狀態和一個閾值電壓,狀態訊號容錯相當高。但隨著單元增加一位,電壓狀態會倍增:
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