記憶體儲存研究 DRAMeXchange 表示，NAND Flash 市場第一季已呈現供過於求，儘管第二季隨工作天數回復後需求有所增長，但成長力道仍偏弱，預期 NAND Flash 將維持小幅供過於求態勢，價格方面也將持續走跌。

針對下半年 NAND Flash 市場走勢，DRAMeXchange 指出，從需求面來看，下半年除了有旺季效應之外，通路市場隨著價格下修而出現復甦態勢，以及智慧型手機搭載容量持續提升等因素帶動，位元需求成長表現穩健。

觀察供給面，DRAMeXchange 指出，因應上半年的市場走勢，部分供應商已減緩擴產速度，下一個世代的 9x 層 NAND Flash 製程要至 2019 年起才會有較具規模的出貨，對 2018 年的供給影響有限，而備受外界關注的中國供應鏈長江存儲的產能也要到 2019 年起才會較具規模，同樣對 2018 年的市況影響甚微。

Micron 與 Intel 在 1 月 8 日宣布其 NAND Flash 合作夥伴關係將於完成第三代 3D-NAND Flash（96層）開發之後終止，各自研發未來的 NAND Flash 技術，以符合雙方品牌產品所需，並維持 Lehi 廠 3D XPoint 的合作關係。針對該項消息，TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)指出，由於 96 層 3D-NAND 直到 2019 年才逐漸成為主流，研判 Micron 與 Intel 拆分結盟的決議要到 2020 年後才會影響雙方產品的規劃與結構。

DRAMeXchange表示，Micron 與 Intel 之間的 NAND Flash 採購協議並未因此中止，短期內不會對雙方產能的銷售與分配上產生劇烈衝擊。從產出端來看，後續 Intel 將專注以大連廠產出供給伺服器 SSD 之用，而 Micron 則擁有新加坡兩座 3D-NAND Flash工廠產能，並搭配生產 DRAM 優勢，具有彈性的策略發展及產品組合。

根據 DRAMeXchange 最新的研究指出，2018 年第一季在需求端面臨到傳統淡季的衝擊，預計智慧型手機、平板電腦裝置量需求將較 2017 年第四季下跌逾 15%，而伺服器需求相對持平，整體位元需求量較 2017 年第四季呈現 0-5% 下跌。另一方面，NAND Flash 供應商仍持續提升 3D-NAND Flash 的產能及良率，位元產出成長亦較第四季高於 5%，預期 NAND Flash 市場將進入供過於求態勢，2018 年第一季固態硬碟、NAND Flash 顆粒及 Wafer 等合約價皆將翻轉走跌。

回顧 2017 年上半年，第一季在供給端由於 2D-NAND 轉往 3D-NAND 導致產能損失，加上中國手機廠商如 Huawei、OPPO、Vivo 的強勁備貨需求，加劇 NAND Flash 缺貨狀況，包含 eMMC/UFS、Client SSD 及 Enterprise SSD 合約價都有至少 10% 以上的價格漲幅。進入第二季後，儘管工作天數回復，促使筆記型電腦及平板電腦等裝置的需求較前一季增加，但中國品牌手機表現不如預期，價格漲幅因此較前季趨緩。

觀察 2017 年下半年 NAND Flash 市場變化，第三季在蘋果十周年新機上市以及伺服器的雙頭馬車帶動下，整體供應缺口進一步擴大，但價格經過數季的調漲以後，已經來到各個 OEM 廠所能接受的上限，致使價格調漲空間受限。第四季在伺服器需求稍踩剎車的影響下，僅剩蘋果的需求動能較為顯著，而東芝晶圓報廢一事亦不如外傳嚴重，加上 3D-NAND 的擴產腳步未停，致使市場更趨向供需平衡狀態，整體合約價以持平或小漲開出。

DRAMeXchange 日前公佈記憶體儲存研究調查報告，指出 2017 年第三季度的 DRAM 產業營收表現又再度創下歷史新高，受惠於傳統銷售旺季加上供給端成長有限，各類 DRAM 產品合約價普遍較前一季再上漲約 5%。從市場面觀察，第三季度 DRAM 總營收較上季再成長 16.2%，整體產業仍處於供貨吃緊的狀態。

展望下一個季度，2017 年第四季 DRAM 價格平均漲幅將落在 10%。其中，PC-OEM 廠已議定第四季度合約價格，就一線大廠訂價來看，均價已正式突破 30 美元，落在 30.5 美元，較上一季平均漲幅約達 7%；從市場面來觀察，此波漲幅主要受到行動式記憶體接棒漲價帶動，配合 DRAM 供給吃緊的狀況延續，以及智慧型手機旗艦機種的旺季效應，以 Samsung 為首的 DRAM 廠決定調升行動式記憶體報價，而手機客戶為了備有足夠庫存也只能接受，因此行動式記憶體在第四季漲幅約有 10-20% (取決於不同的容量)；而伺服器記憶體拉貨動能亦十分強勁，第四季度合約價繼續上漲 6-10%。

綜觀第三季營收表現，Samsung 依然穩坐 DRAM 產業的龍頭，營收來到 88 億美元，較第二季成長 15.2%，再度創下歷史新高；而 SK-Hynix 營收金額來到 55 億美元，較前一季成長 22.5%，成長動能顯著，兩大韓廠的市占各為45.8% 與 28.7%，合計已囊括 74.5% 的市占率。Micron 仍舊維持第三，營收金額為 40 億美元，季增 13.0%，市占 21.0%。由於 SK-Hynix 本季平均銷售單價高於美光，導致兩者三季的市占差距持續擴張；展望第四季，由於 Micron 逆勢成為價格領導者，價格漲幅超越兩大韓系廠，預計將縮減與第二名的市占差距。

記憶體儲存研究 DRAMeXchange 指出， 2017 年 NAND Flash 產業需求受到智慧型手機搭載容量與伺服器需求的帶動，加上供給面受到製程轉進進度不如預期的影響下，供不應求的狀況自 2016 年第三季起已持續六個季度； 2018 年 NAND Flash 供給將增加 42.9% ，需求端將成長 37.7% ，整體供需狀況將由 2017 年的供不應求轉為供需平衡。

從 NAND Flash 的供給面來看，因為 NAND 製程從 2D 轉進 3D 不如預期，導致 201 7 年非 Samsung 陣營的新增產能沒有百分之百完善利用，再加上轉換期間所帶來的產能損失，讓 2017 年市場呈現整體供不應求的狀態， 2018 年隨著非 Samsung 陣營供應商在 64/72 層 3D-NAND 製程成熟後，整體 NAND Flash 產業供給量年成長率預估將達 42.9% 。

然而，觀察 2018 年需求面狀況，在第一季淡季影響下，智慧型手機、 PC 、平板電腦等出貨量預期都將比 2017 年第四季來得明顯下滑，綜觀供給與需求面狀況， 2018 年 NAND Flash 市場將從供不應求轉為供需平衡。