中國長鑫存儲 DDR5 良率達 80%，還力拚 2025 年少量生產 HBM2

palmtree

https://technews.tw/2025/01/03/c ... 5-yield-reaches-80/



.......................................  根據外媒 Techpowerup 報導，根據花旗集團最近的分析，長鑫存儲在 DDR5 晶片生產的良率上已經獲得重大進展，已達到約 80%，與最初量產時的 50% 相比，已經有了大幅度的提升。這一進步主要是建立在過去長鑫存儲於 DDR4 的製造經驗之上，目前 DDR4 晶片生產的良率已達 90% 左右。

報導表示，目前長鑫存儲在合肥營運兩座晶圓廠，其中 Fab 1 專門生產 DDR4 晶片，採用 19 奈米製程技術，月產能為 100,000 片晶圓。另外，Fab 2 使用了 17 奈米製程技術，用於生產 DDR5 晶片，月產能為 50,000 片晶圓，預計到 2025 年底，良率會進一步拉升到 90% 的水準。

報導強調，儘管長鑫存儲在技術和良率上有了不小的提高，但是與產業領導者相較，還是有一定的差距。目前三星和 SK 海力士等記憶體製造商，已經導入 12 奈米製程技術來生產 DDR5 晶片，這種技術差距導致長鑫存儲的產品功耗相對更高，外形尺寸也沒有那麼緊湊。現階段長鑫存儲的客戶主要在國內，用於 PC 和智慧型手機上。

展望未來，長鑫存儲會繼續擴展 DDR5 的性能和產能，同時還會繼續推進 HBM 的開發。長鑫存儲已經在 HBM2 上取得了進展，正在進行客戶送樣階段，預計 2025 年中期開始少量生產 HBM2 晶片。

jacktsui

挖多啲***人, 好快就追得上, 到時RAM有得減