Intel正式發佈34nm新工藝固態硬盤 降價60% + 對比拆解、性能實測

Intel正式發佈34nm新工藝固態硬盤 降價60%

Intel正式發佈了全球首批基於34nm MLC NAND閃存新工藝的固態硬盤。從50nm進化到34nm,從技術角度上是更小的核心面積和更高級的工程設計,對消費者來說則是更低的價格:新舊產品之間的差價幅度最高超過60%。


首批34nm固態硬盤只有2.5吋主流系列X25-M,容量仍保持在80GB和160GB,但改用了新的控制器和固件,性能因此大有提升,比如讀取延遲從85微秒縮短到65微秒,寫入延遲從115微秒縮短到85微秒,4KB隨機讀取IOPS35000、寫入6600(80GB)/8600(160GB),抗衝擊力也從1000G/0.5s提高到1500G/0.5s,不過持續讀寫速度仍為250MB/s和70MB/s。

至於功耗,可能會讓大家失望了。34nm X25-M的負載功耗保持150mW不變,但因為新控制器的緣故,待機功耗從60mW增加到了75mW,不過新控制器對環保也不是沒有貢獻,至少已經消除了原來使用的鹵素,或許能因此得到蘋果的採納了。

34nm X25-M 80/160GB產品編號SSDSA2MH080G2/SSDSA2MH160G2,建議零售價225/440美元,比起一年前發佈的50nm版本的595/945美元分別降低了62%和53%。廉價固態硬盤時代也許就在不遠的前方。

新工藝版1.8吋規格X18-M系列將在本季度晚些時候出貨,但320GB大容量版本何時發佈尚不清楚,另外企業級X25-E何時升級新工藝也不得而知。

Intel還計劃在未來發佈新版固件,支持Windows 7 Trim優化命令,並提供終端用戶工具,用於優化固態硬盤在Windows XP/Vista之下的性能。



主要性能規格



相較於50nm版本性能提升



兩代固態硬盤參數對比



部分固態硬盤產品價格容量比



Intel 34nm X25-M固態硬盤對比拆解、性能實測

今天對比的兩款X25-M都是160GB容量,但內部構造大為不同。50nm X25-M G1 PCB正反兩面各安裝了10顆MLC NAND閃存芯片(編號「29F64G08FAMC1」),單顆容量8GB,而34nm X25-M G2的單顆芯片容量翻番到了16GB(編號「29F16B08JAMD1」),因此只在正面安裝了10顆,背面留空。很顯然,一旦Intel和美光聯合投資的34nm NAND生產線完全開工,Intel就可以再放上去10顆芯片,推出320GB型號。



裝有控制器的正面大同小異,但X25-M G1在閃存芯片和控制器周圍使用的黑膠狀物體也不見了,但還不清楚這東西的具體用途,可能是一種保護措施,也可能是輔助散熱手段。



X25-M G2使用了新控制器,編號從「PC29AS21AA0」改為「PC29AS21BA0」,不過物理封裝沒有任何變化。



板載緩存變化不小,之前用的是三星16MB 166MHz SDRAM (CAS3),現在則改成了美光32MB 133MHz SDRAM (CAS3)。很奇怪,容量上去了,速度卻下來了。




控制器是固態硬盤的核心部件,但Intel的一直都是只為自己所用,不像三星、Indilinx那樣授權賣給其他廠商。以下就是市面上常見的一些固態硬盤和控制器:


衡量固態硬盤性能的指標一般有四個,隨機讀取、隨機寫入、持續讀取和持續寫入,其中前兩項表現在大量小文件(比如4KB)的處理上,後兩項則對應大文件處理(比如藍光電影)。一塊優秀的固態硬盤必須在這四方面都表現不俗,但事實上很難,大多都是只有部分指標很好,

本次測試使用的工具是IOMeter,並爭取不放過硬盤上的每一個LBA和Page。

持續讀取速度:應該是受制於SATA 3Gbps,X25-M G2/G1在這方面表現基本沒有差別,看來只能期待SATA 6Gbps盡快普及了。

持續寫入速度:這個一直是MLC NAND閃存型的X25-M和(X18-M)系列的軟肋,新款提升了7%但仍遠遠落後於其他固態硬盤,即使相比西部數據VelociRaptor 300GB也相差甚遠。
不過另一方面,SLC NAND閃存型的企業級X25-E 64GB的成績是最好的。

隨機讀取速度:Intel固態硬盤在應付小文件隨機讀寫方面得心應手,此番有了10%的提升後,X25-M G2已經超過了X25-E,以58.5MB/s高居第一。對比其他廠商的MLC型固態硬盤,X25-M G2最少也能領先50%。

傳統機械硬盤在這個問題上就完全拿不出手了,即使西數VelociRaptor 300GB也只有可憐兮兮的0.68MB/s,相當於X25-M G2的一個零頭。

隨機讀取延遲:和隨機讀取速度是一脈相承的,X25-M G2再次躍升第一,只有0.2ms,而西數硬盤高達17.3ms,不得不從圖表中移除。

隨機寫入延遲:X25-M G2大幅提升了將近40%再次超過X25-E,而基於三星或Indilinx控制器的其他固態硬盤完全被甩開。

小結:

第一代50nm X25-M發佈之初就給我們留下了深刻的印象,成為固態硬盤領域的一個標竿,現在升級到34nm之後更是有了近乎全面的提升(0-40%),拉大了與同類產品的距離。唯一遺憾的就是持續寫入性能依然太弱,連機械硬盤都趕不上。
當然這裡只是理論性能測試,實際應用中根據環境不同估計提升幅度會在0-10%。

[ 本帖最後由 ccp187 於 2009-7-23 23:40 編輯 ]

35000IOPS..........
又一屈機之作,不過耐久性希望可以改善.

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原帖由 Henry 於 2009-7-22 04:43 發表
35000IOPS..........
又一屈機之作,不過耐久性希望可以改善.

可能幾千蚊用半年瓜柴

[ 本帖最後由 肉腳王 於 2009-7-22 04:48 編輯 ]

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重係同硬碟的HDD價錢有好大分別.

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回覆 6# 的帖子

80G
225 * 7.8= HKD 1755
同 15K 差不多了

intel 減 , 會不會另其他減   , 1000 可能買到 64G了

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very good la,but still wait two more yrs for fully mature

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希望到時可以見多 d white mouse report  

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