入正題吧
840evo 是19mn

850evo 是40mn, 相比起mlc 7mn, 邊個會短命d
lhl320 發表於 2015-9-26 14:13


何解要用高成本 40nm 但又偏偏要攪到一個 cell 要儲 3-bit 8 級訊號這種多問題設計來節省返成本? 唔明....

很有觀音頭掃把腳感覺

反正一樣價錢, 我寧願揀主流成熟的 20nm 2-bit MLC 囉.

無平到但幫廠做白老鼠!? 我無咁傻

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你是指 世上應該未有 7mn 制程既產品 吧
lhl320 發表於 2015-9-26 17:05

單位都未搞清楚唔該返去查字典先
nm = NanoMeter, mn我真係唔知乜野黎

普通班既全班第一去挑精英班既全班第尾,贏左,代表D乜?
更加唔好講7nm MLC根本未出,你連測試都未做得到,就可以直接落結論?
反正未出既7nm你都可以係冇測試既情況下,單靠推測就屈佢會輸啦,咁你仲做咩TLC 500GB寫入測試姐?

1個Sample咁大把、新買既SSD、做得兩三次全盤寫入、永遠只做連續寫入,可以代表D乜?
同樣係TLC,其他型號既分別黎自邊度?係唔係特定型號用左某D優化手段?呢個優化手段又可唔可以match到日常使用?定係只係for benchmark好睇D既cheat?
新買唔跌速,用多幾個月或者幾年會跌幾多?
測試軟件寫入既係全0、全1、定係random data?唔係random data既話,會唔會有controller壓縮既影響?
firmware成熟到足以handle TLC未?最終會唔會因為firmware問題影響使用?

唔該,要做測試就嚴謹D
否則就交比時間去證明一切,因為好多野只有靠時間先睇得出結果

我對TLC同MLC真係冇乜所謂,反正電子野既發展不嬲都係越黎越唔耐用
最終重要資料都係要做backup
但唔代表我可以接受有人求求其其做下所謂「測試」,就強行得出「TLC同MLC冇分別」既結論

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本帖最後由 lhl320 於 2015-9-27 02:02 編輯
單位都未搞清楚唔該返去查字典先
nm = NanoMeter, mn我真係唔知乜野黎

普通班既全班第一去挑精英班既全班 ...
FlyingForever 發表於 2015-9-26 21:02



我唔係好明你講咩  
重申: 這個不是endurance test

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外文好多講7mm突破,係指ssd
好似外殼個厚度

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本帖最後由 evec 於 2015-9-27 16:31 編輯
何解要用高成本 40nm 但又偏偏要攪到一個 cell 要儲 3-bit 8 級訊號這種多問題設計來節省返成本? 唔明... ...
Miipp 發表於 2015-9-26 17:19


    VNAND 二個好處,好似大廈可以叠上,叠上後越高層越省成本,但如果用一般起大廈方法起,成本不化算,
所以利用BiCS,先一層層做了CONTROL GATE,再一野射穿再回填change trap同 Si channel 。




    由於3D製程不能做得太細,就想出大光柵製程配TLC的絕配,一加一減就維持到個壽命,又可以賣到蕊片收回投資費用。
   
    因為三叔起咗VNAND廠開支太大,晶片要找人銷,本來如意算盤係做高級野,而家SAMSUNG 做咗的晶粒大客戶唔要,
    就要找水魚吃,吹下個VNAND好勁,而家電腦消費零售品市場咪又係一堆所謂IT跑速達人,你叫佢地心究VNAND係咪,
消費零售產品只要賣到,五年給你換沒問題,反正晶片做咗了換你沒問題。

  其他廠商選擇技術成熟到一個程度先大量生產,而三叔覺得韓國人有勇有謀打死巴就一路起一路研究,結果。

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"未發生" == "不存在"

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人蠢冇藥醫

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VNAND 二個好處,好似大廈可以叠上,叠上後越高層越省成本,但如果用一般起大廈方法起,成本不化算, ...
evec 發表於 2015-9-27 16:12



    唔怪之得三叔出左 VNAND 咁耐, 都未有其他廠跟進, 原因技術未成熟

epc 時不時有人講 evo, 反而 pro 版無咩人提, 分明係 ...

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