係乜

比較關心有冇偷開門
132003hk 發表於 2017-1-14 15:30

開後門快一千倍, 所有資料讀取並自動上傳至大陸server快100倍

Tenzin

回覆  yukashing


    牛皮吹太大, 要收縮返
erinnerung 發表於 2017-1-18 17:41

唔止牛皮吹太左, 仲混淆視聽

當年唔比馬雲上市, 因為佢要賣股票唔連股權(同股不同權), 即係話就算你買左佢90%股份, 馬雲10%股票都一樣可以大過你話哂事, 結果ban佢的不是香港人, 而係由大陸派落黎的證監ban左佢, 因為連佢地都認為如果准馬雲咁玩法, 香港金融中心遲早玩完, 結果馬雲一氣之下走去美國上市, 而美國啋你都傻, 最後都要跟美國上巿果一套, 美國都有同股不同權, 但可透過集體訴訟來保障小股東, 法律上對小股東有較充足的保障, 結果依家最大股權的是美國公司, 仲派好多獨立董事昅住馬雲, 唔比佢亂黎, 聽講依家馬雲後悔不已

另外半導體工業是嚴重污染的工業, 包括可能會排放大量重金屬和酸性廢水, 上網google一下台灣最大半導體封裝廠日月光的偷排廢水事件, 強酸廢水的HP值高達2.63, 鎳含量4.38毫克, 每日廢水排放量高達5500噸, 污染下遊940公頃農地, 農地要休耕百年先至可以分解復原, 否則種出的米一樣含有鎳, 鎳可引發肺癌、攝護腺癌等等, 香港可以容許咁玩法咩? 香港可以承受咁玩法咩?

132003hk

回覆 17# yukashing
一語道破一矢中的一箭Ｎ鵰  

eo38cl

結果依家最大股權的是美國公司, 仲派好多獨立董事昅住馬雲, 唔比佢亂黎, 聽講依家馬雲後悔不已
Tenzin 發表於 2017-1-18 18:49

只有三類人有權及有名額可提名阿里巴巴董事:
一、阿里巴巴合夥人
二、軟庫
三、提名及公司治理委員會 (組成: 馬雲（主席）、董建華、楊致遠)
http://www.alibabagroup.com/tc/ir/governance_6

其他股東只係對已被提名的董事有否決權，但冇董事提名權。
若提名的董事被股東投票否決後，提名人可再提名另一人，而該人將無需再經選舉，自動獲任命一年。

palmtree

唔止牛皮吹太左, 仲混淆視聽

當年唔比馬雲上市, 因為佢要賣股票唔連股權(同股不同權), 即係話就算你買左 ...
Tenzin 發表於 2017-1-18 18:49

太古A / 太古B 有何分別 ?

過於自大 有時忽略 與對手協商 , 閣下知道 馬雲背後的是誰嗎 ???

燈塔與燈泡
https://www.youtube.com/watch?v=9J7uqBygjn0&feature=share


擴大本地金融市場擴大 及 刺激 技術產業技資 時機已失 反映 盲搶鹽 真金當假米 成 民眾主流  

二次工業革命 的 標準 難在 今 工業4.0 下生存 何況 本港沿用的是 英國殖民時代的制度

本地地主集團 大戰 中國國家資本主義 , 更何況 高尖技術產業發展 離不開政府扶持 , 守財奴政策是行不通

kcthomlau

期待AMD自家ReRAM ppt面世，速度快1萬培，耐用高1億培

palmtree

在人工智慧、雲計算和大資料等前沿技術的驅動下，不論是普通消費者還是企業級客戶，對於存儲的需求是愈加強烈。而傳統存儲技術相對滯後的發展速度顯然已經很難滿足現實的需求，市場急需新一代存儲技術的出現。

近日，專注於ReRAM技術的Crossbar公司宣佈與中芯國際合作開發的40nm工藝的ReRAM（非易失性阻變式記憶體）晶片正式出樣，而更為先進的28nm工藝的ReRAM晶片也將在今年上半年問世。這意味著在存儲領域即將迎來一場變革。

存儲技術困局

隨著電子產品的愈加智慧化，為了更快速的處理通信協定、身份認證、消息生成和資料累計等任務，應用程式的底層代碼也是越寫越長，從以前的幾千位元組發展到現如今的幾百萬位元組。這也就自然而然地導致當前的存儲手段已無法滿足新一代技術對存儲容量和存儲性能的要求。

反觀當前的快閃記憶體技術，資訊的存儲是基於電荷密度，丟失幾個電子會導致嚴重的可靠性問題，一旦晶片尺寸低於25nm，快閃記憶體技術的耐久性、維持性和可靠性就會出現嚴重的不確定性。每當有新的單片機和晶片系統需要被設計時，設計人員在做結構設計時必須考慮到記憶體容量、架構和集成等相關問題。但這種努力並非是一勞永逸，另一批系統架構師仍舊需要重新研究嵌入式存儲模組與邏輯處理單元集成的方式。

002smic20170118

根據分析公司Web-FeetResearch的預測，到2018年，消費類電子產品的記憶體市場將達到28.8億美元，龐大的需求已經迫使這個問題必須得到解決了！

改良性的解決方案是資料存儲系統使用高端的存儲控制晶片來管理複雜的架構和演算法，例如，清華紫光就已經投入了數百億美元到NAND、DRAM等記憶體的開發之中，預計在明年將會推出國產3D NAND快閃記憶體，但無論是NAND還是DRAM都屬於是當前水準的技術，而且在這些領域，中國與世界先進水準相比也已經落後了20多年，所以要想實現逆轉，還是要寄希望於下一代存儲技術上。

當前在下一代存儲晶片的研發當中，除了Intel、鎂光基於PCM相變存儲技術研發的3DXPoint晶片之外，最知名的恐怕就是ReRAM晶片了。作為開發ReRAM最具代表性的企業，成立於2010年的Crossbar的實力也不可小覷，它的首席科學家和聯合創始人盧偉（Dr. Wei D. Lu）博士在ReRAM領域有十二年的研究經驗。自然這家公司的一舉一動都會引起業界的廣泛關注。為了進軍中國市場，在2016年3月，Crossbar與中芯國際達成合作，基於中芯國際的40nm CMOS試產ReRAM晶片，而如今總算是成為現實。

據悉，這種晶片比上一代的NAND晶片性能更強，密度比DRAM記憶體高40倍，讀取速度快100倍，寫入速度快1000倍，耐久度高1000倍，200平方毫米左右的單晶片即可實現TB級存儲，還具備結構簡單、易於製造等優點。

何為ReRAM？

在當今存儲的所有資料中，有90%是在過去兩年內生成的。資料生成及對資料的快速訪問已經成為現代用戶體驗不可或缺的一部分，這也將在可預見的未來繼續推動存儲需求的迅猛增長。然而，當目前的平面NAND快閃記憶體被一步縮小光學尺寸時，就會達到物理和工程極限。而象Crossbar的ReRAM這樣的下一代非易失性阻變式記憶體，就不會有這些限制，它將可以提供高性能、大容量的新型記憶體。

ReRAM代表電阻式RAM，是將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結合於一身的新一代存儲技術。換句話說，即便是在電源關閉的情況下記憶體仍能記住資料。如果ReRAM有足夠大的空間，一台配備ReRAM的電腦將幾乎不再需要載入時間。這使得ReRAM在下一代眾多高擴展性、高容量、高性能和高可靠性存儲解決方案中最被看好。

一個典型的ReRAM單元具有一個轉換材料，介於具有不同的電阻特性的兩個金屬電極之間。ReRAM的轉換效應基於在電場或熱力影響下的離子的運動以及轉換材料存儲離子的能力，而這反過來又會影響電阻測量的精度。

003smic20170118

在眾多不同的ReRAM實現方法中，它們採用不同的轉換材料和記憶體單元結構。不同的材料所具有的不同特性也會導致顯著的性能差異。ReRAM技術最大的難題在於克服溫度靈敏度、與標準CMOS技術和製造工藝的整合以及每一個ReRAM單元的選擇機制。

ReRAM已經成為大家競相看好的專案，一些公司聲稱會在未來的1-2年實現ReRAM晶片的樣片生產。

CrossbarReRAM技術的存儲介質是包裹絕緣性非晶矽（a-Si）的金屬絲。其基於電子場的轉換機制使得Crossbar ReRAM單元能夠在較廣的溫度範圍內穩定工作。

CrossbarReRAM的單元結構簡單，所採用的材料、工藝步驟和製造工具都是通用的，這使得任何一家半導體代工廠都能夠通過得到Crossbar ReRAM技術授權的方式來開展記憶體業務，製造存儲級記憶體晶片。

ReRAM記憶體的性能和比特/尺寸密度取決於記憶體單元的內聯方式。嵌入式低延滯、高速記憶體可以通過用一個電晶體對每一個記憶體單元進行單獨控制來實現。在1T1R（每1個ReRAM單元有一個電晶體）的陣列組織結構中，記憶體的總體積由每一個電晶體的體積所決定。高密度存儲級記憶體則需要有一個密度高得多的記憶體陣列組織架構，並以此來實現成本效益最優化，這就要求能夠用一個單一的電晶體來連接成千上萬的記憶體單元。這種1TnR組織結構只有當ReRAM單元的內置的選擇機制可以單獨地或者不指定地選擇ReRAM單元時才有可能實現。

004smic20170118Crossbar ReRAM I/V曲線（1T1R和1TnR）

與傳統的NAND快閃記憶體相比，CrossbarReRAM速度快的多、位元元可修改並且只需要更低的電壓，這使得它可以被應用於嵌入式和SSD設備之中。Crossbar ReRAM技術的多面性使得記憶體單元在1T1R陣列中相聯時能夠實現非常低延滯的記憶體讀取，或在交點1TnR陣列中實現面積最優（4F2單元），這都要歸功於Crossbar已經申請專利的內置選擇技術。

CrossbarReRAM技術的易製造性已經被在代工廠製造的工作陣列所證明。這一工作晶片是將單片CMOS控制器和記憶體陣列晶片整合在一起。公司目前正在完成這一器件的優化，並計畫將第一個產品推向嵌入式SoC市場，同時還將繼續在先進的制程工藝基礎上推進高密度存儲級記憶體陣列的研發。

CrossbarReRAM的優勢

到目前為止，還沒有一個切實可行的NAND的替代技術，而Crossbar的ReRAM則有機會把握住這一市場價值超過400億美元的機遇。Crossbar仍在研製中的ReRAM技術已經取得了顯著的商業化進展，只要保持這一優勢，他們將能夠搭建一個具有成本效益的、多層級的ReRAM市場，從而超越3D NAND等競爭對手。——Alan Niebel Webfeet Research創始人兼CEO

Crossbar不聲不響地帶來了一個極具吸引力的、全新的替代性記憶體技術。他們解決方案的關鍵是將ReRAM內置於存儲單元之中，不像其它ReRAM技術還需要一個單獨的外部設備，這無疑會帶來噪音等諸多問題。而這也就會顯示出Crossbar方案的極大優勢。——Jim Handy Objective Analysis總監

CrossbarReRAM技術基於一個簡單的結構，採用CMOS工藝常用的材料以及標準的製造工藝，無需任何特別的機器設備或者材料，就可以很容易地在現有的CMOS工廠進行製造。由於Crossbar ReRAM採用了低溫後段制程工藝整合，所以多層Crossbar ReRAM陣列可以被整合到CMOS邏輯晶圓之上，從而創建出3D ReRAM存儲晶片。

Crossbar ReRAM單元存儲介質是包裹絕緣性非晶矽（a-Si）的金屬絲，這與在快閃記憶體單元裡電子存儲的形式有很大不同，因為哪怕是少量的電子損耗都會引發可靠性問題，所以鎖定電子就變成了一個艱巨的挑戰。這也是為什麼快閃記憶體的性能在較小的制程工藝尺寸上會有所降低的原因。而Crossbar ReRAM在不同尺寸上都不會影響設備的性能，並且有望被用於10納米以下的尺寸。

005smic20170118快閃記憶體技術的擴展

006smic20170118Crossbar ReRAM技術的擴展

CrossbarReRAM技術具有眾多特性，可以實現多種全新的存儲解決方案類別。Crossbar ReRAM單元的內置選擇特性允許不同的記憶體陣列配置，一個電晶體可以驅動一個或者成千上萬個記憶體單元，從而實現了針對不同目標應用的靈活設計：嵌入式代碼存儲的快速讀取和處理器的直接執行，或者對存儲資料的高密度、低延滯讀取。

Crossbar ReRAM技術相較於NAND快閃記憶體能夠將讀取延滯降低到1/100，將寫入速度提升20倍，而且還可以不受限制地對資料進行反復擦除。CrossbarReRAM技術可以以小頁模式建構，可以被獨立地擦除或者重新程式設計。通過移除無用單元回收所要求的大量後臺記憶體讀取，這種全新的存儲架構大大簡化了存儲控制器的複雜度。該技術的寫入放大率為1，從而為用戶帶來低的讀寫延滯、更低功耗以及存儲解決方案更長生命週期的好處。

憑藉這些突破性的性能和可靠性、超高的容量、低功耗以及針對多種存儲架構的可調性，Crossbar將為消費電子、企業存儲、移動計算、工業/汽車/醫療、物聯網以及可穿戴設備應用帶來一波新的創新。

性能

為了在使用者端維持令人滿意的性能指標，固態硬碟（SSDs）存儲系統設計師們不得不開發複雜的架構和演算法，以應對3D MLC/TLC NAND快閃記憶體所固有的設計局限。當NAND製造商試圖通過縮減設計從而降低成本時，複雜的系統在實際的使用者案例中對性能產生了影響，從而導致了SSD測試基準中出現的主要的系統瓶頸問題。

NAND快閃記憶體程式運作很緩慢，並且是在大型頁面的細微性上完成的。當今的MLC/TLC NAND或者3D NAND快閃記憶體需要600微秒到1毫秒來對一個8-16K位元組的頁面進行程式設計。對於典型的使用者案例來說，這個速度太慢了，所以每一個程式運作必須首先被重新導向到一個位於臨時位置的寫入緩存，比如一個SRAM或者DRAM緩存或者一個以SLC模式配置的NAND分區。

NAND快閃記憶體在進行程式設計前必須進行擦除。NAND的擦除操作非常慢，需時10毫秒左右，並且在一個非常大的4-8兆模組中進行。為了克服這一重要的設計局限，可以讓SSD控制器來管理邏輯到物理（L2P）映射，對原始和校正資料位置進行追蹤，並使得在必須進行模組擦除操作前推遲該操作成為可能。

釋放單元回收代表了資料管理的另一個附加層面，它被要求用於在記憶體處於空閒模式時正確釋放模組中的無用資料。當釋放單元回收在模組間轉移資料時，新產生的請求可能產生問題。這是一種典型的懲罰，會導致長達數秒的冗長的、不確定的延滯。

因此，對於一次SSD的寫入，通常會有幾次SSD控制器、NAND快閃記憶體和DRAM部件之間的後臺記憶體操作。這被稱為寫入放大（WA），它可以用來衡量控制器的效率。大部分系統的WA通常在3-4之間。更高的WA數值會直接影響存放裝置的可靠性和性能，因為它放大了對設備寫入的次數，使得一個單元處於速度快得多的最高週期。這點在相對更小的技術尺寸上顯得更為相關，在這些技術尺寸上，NAND記憶體單元的最高週期降至3000程式週期以下。

這些複雜的問題很大程度影響了終端使用者的體驗，並解釋了與SSD製造商所提供的SSD規格相比較，為什麼SSD基準測出的性能會有所不同。在按此寫入的情況下，假如使用者想從網路上下載一部高清電影到本機存放區器上，或者當企業存儲廣泛使用SSD時，這些問題將無法掩蓋NAND快閃記憶體技術固有的設計局限。

007smic20170118

CrossbarReRAM技術無需在程式設計前進行擦除操作。對ReRAM的單次寫入可以在很小的頁面顆粒上非常快地完成。下一代針對ReRAM進行優化的SSD控制器將能夠以更快的速度更新更小的頁面，並大幅降低NAND所需要的後臺記憶體操作。基於ReRAM的SSD將提供更低、更確定的讀取延滯（數十微秒）。

密度

Crossbar擁有專利的轉換器設備解決了高密度ReRAM開發人員面臨的最大技術挑戰之一，它被稱為潛泄電流（或漏電流）。Crossbar的3D ReRAM存儲解決方案是基於1TnR陣列（1個電晶體驅動n個電阻式記憶體單元），其選擇率使得讓一個電晶體管理很大數量的內聯的記憶體單元成為可能，從而實現很大容量的固態存儲。在1TnR模式下，1個電晶體能夠以非常低的功耗驅動超過2000個記憶體單元，但也會遇到潛泄電流的漏電問題，對典型ReRAM陣列的性能和可靠性產生干擾。Crossbar擁有專利的電場輔助超線性閾值轉換器設備解決了這一漏電問題，它採用了一個超線性閾值層，裡面有一個在閾值電壓值上形成的易變性傳導通路。這樣的電場輔助超線性閾值設備是業內第一個能夠將洩露電流抑制在0.1納安之下的轉換器，並已在一個4 Mbit整合3D堆疊式被動Crossbar陣列中成功實現。

Crossbar的轉換器在2014年年底的IEDM上進行了展示，它實現了有報告以來最高的選擇率（10的10次方），低於5mV/dec的極銳斜率，超過100M週期的耐久性，以及低於300攝氏度的處理溫度，解決了潛泄通路問題，從而解決了潛泄通道問題，體現了商用可行性。Crossbar的轉換器是第一個解決了這一設計挑戰的解決方案，為在單晶片上實現TB位元組級別的存儲成為現實鋪平了道路，從而使得ReRAM成為領先的下一代NAND記憶體替代品。

能耗

CrossbarReRAM技術將簡化掉多個資料存儲部件和SSD或者其他類似資料存儲解決方案中的控制器之間的資料讀寫管理。減少後臺記憶體操作的數量有助於提高資料存放裝置的性能和耐久性，但也降低了SSD控制器的功耗和對DRAM的使用，以及資料存儲部件在進行讀寫時的功耗。

在記憶體單元層面，CrossbarReRAM提升了程式設計性能和功耗效率。它實現了64pJ/cell的程式設計功耗，與NAND快閃記憶體相比這是20倍的提升。

可製造性和可擴展性

CrossbarReRAM包含簡單的雙端器件，能夠被整合到後端金屬層，從而成為替代NAND快閃記憶體的完美、低成本解決方案。毫無疑問，平面MLC/TLC NAND正面臨擴展性的挑戰，而其性能在10 納米尺寸也將有所減損。當20納米級別的3D NAND開始被考慮成為平面NAND的替代品時，3D NAND技術在進入10納米尺寸級別時將面臨同樣的可擴展性挑戰和性能減損。

008smic20170118

從單元角度來看，電阻式記憶體元件在設備面積減小時仍會產生同樣的導通電流，但是關閉電流會被降低。導通電流和關閉電流的比率通常從幾百到超過1000。它也改善了傳感範圍，使得以更少的複雜CMOS外設電路進行傳感以及在更小的技術尺寸實現MLC/TLC成為可能。Crossbar ReRAM絲基電阻式記憶體元件能把單元尺寸擴展到10納米以下。

有兩項工藝參數非常重要——轉換材料的膜厚（TSL）和轉換電極的關鍵尺寸（CD）。這些參數通過使用當今最尖端的製造設備可以很容易地得以控制，包括當今20-40納米尺寸晶圓代工廠中所使用的光刻、PECVD薄膜沉積、以及金屬刻蝕機台。

CrossbarReRAM能夠使用與製造基於CMOS的外設電路一樣的整套設備，記憶體元件可以在低溫工藝下嵌入。ReRAM單元嵌入的熱預算不會對CMOS器件性能產生影響。取決於記憶體的種類，ReRAM層通常可以在多達16個堆疊的熱預算下正常工作，而不會給器件性能帶來顯著的改變。3D ReRAM堆疊與3D NAND堆疊截然不同，它可以非常容易地使用後端整合來實現。

當ReRAM遇上人工智慧

包括臉書、亞馬遜、微軟、谷歌、阿裡巴巴、騰訊、百度等，都在產生大量的資料，包括人臉、位置、行為習慣、社交照片等。物聯網已經到來，而且正在指數級的增長；自動駕駛汽車已經進入市場，雲計算已經無處不在。我們剛開始想像如何借助于這些創新來開創一個人工智慧的新時代，創建新的商業模式、新的生產率典範和新的大眾娛樂方式，這些不僅對人類帶來意義深遠的影響，而且也為通過資料盈利的創新者帶來巨大的財富。

收集與存儲這些“大”資料是當務之急。但是，比資料有多“大”更為重要的是，如何驅動下一波的創新。在人工智慧競賽中的勝出者需要做四件事：1、訪問大量的資料；2、訪問正確的資料；3、把資料變為具有可行動性的洞察力的強大演算法；4、超越競爭對手的速度和規模。今天，通過訓練人工智慧演算法與創建新的應用，資料有機會成為利潤中心。更多的資料訓練，就會讓人工智慧演算法更聰明。

應用ReRAM這樣新的存儲技術，能夠發揮人工智慧真實的潛能，實現速度、低功耗/高能效、存儲容量與可製造性的完美結合。

當目標從簡單的代碼行的抓取，轉變成對從外部感測器獲取的大量資料進行即時處理、分析、執行時，大資料到人工智慧的根本轉變就來臨了。從感測器來的資料可以存儲在晶片上，直接輸送給深度神經網路，以便採取直接的行動。非易失性的存儲技術，比如ReRAM存儲技術，通過低功耗、快速讀取、基於位元組定址的寫操作，來説明應對性能與功耗的挑戰。

ReRAM存儲技術能夠直接集成在晶片內部，產生一個新的以存儲為中心的片上系統架構。通過與處理器核集成在同一顆晶片中的片上系統方案，ReRAM充分地加速了深度神經網路演算法。ReRAM技術是一個重要的創新，它加速人工智慧的潛能，實現多種應用，加速性能，極大地提高能效，實現更高級的安全性，減少晶片的數量和晶片的面積。

高性能計算，比如人工智慧，需要在處理器、存儲與輸入輸出之間進行高頻寬、低時延的資料訪問。ReRAM存儲技術通過減少計算與存儲之間的性能差距，可顯著提升高性能計算應用的性能。

Tenzin

太古A / 太古B 有何分別 ?

過於自大 有時忽略 與對手協商 , 閣下知道 馬雲背後的是誰嗎 ???

燈塔與燈 ...
palmtree 發表於 2017-1-19 08:20

真係好笑, 一方面話英國殖民地制度唔得, 一方面又想學英國殖民地時代強加於殖民地的太古A/太古B, 咁即係想點?
定係你想暗示現在是中國殖民地時代的來臨?
仲有你知道我和習近平以及馬雲背後是誰嗎?
將一段ReRAM的PPT吹水新聞, 可以扯到去什麼中國政治、馬雲背後.....然後只懂得不斷在貼文洗版, 真係大話講一百次就變真, 然後再亂套D時代名詞落去
咖啡機兄弟都可以話佢地的產品發明是代表工業4.0, Web5.0, Internet Explorer 6.0
守財奴政策行不行得通和ReRAM有什麼關係嗎? 又係亂搬一堆名詞在混淆視聽和偷換概念

Tenzin

題外話, 見到阿里巴巴的董事局有董建華個名
令我想起東方海外在這個財家仔手上又蝕到阿媽都唔認得, 敗哂祖業, 依家又傳要賣盤
上次已經救左一次, 我估今次又係大陸政府攞人民的血汗錢來救東方海外, 呢D係唔係叫私雙授受8.0
不如樓主講下中國拿錢來救東方海外董建華這個英國殖民地時代的舊東西, 還是應該將這些錢拿去發展中國工業4.0?

差D忘記左中國仲有好多山區小學和孩子要我地捐錢去養的, 可否將人民D錢用在人民身上
http://www.pol.org.hk/what-we-do/china-work/education

palmtree

http://iht.nstm.gov.tw/form/inde ... &gp=21&id=2

外資企業主導時期 1960-1974

　　早期台灣的電子工業可說毫無根基，其發展契機是以提供廉價勞動力的加工出口區為基礎。60年代的台灣的出口導向政策，吸引了美國廠商將電晶體的製造和在半導體製造流程中技術層次較低的下游封裝階段轉移到台灣。此時的出口市場亦是以美國為中心。此時期美國半導體廠對台灣的策略是以獲取廉價勞動力為出發點，而台灣也利用廉價的勞動力賺取外匯。

　　雖然這一階段電子工業的投資以外資為主，但因進入半導體封裝業所需資金不大，技術也不困難，國內業者如華泰、萬邦、寰宇等企業為本地半導體封裝業打了先鋒，並與外資企業公司培養了許多熟悉此領域的國內人才。交通大學在1964年設立的半導體實驗室在培育國內半導體人才方面更是功不可沒。


國家介入：主導上游技術引進時期 1974-1979

　　70年代初期，台灣在政治上，外交變局一再發生，如退出聯合國、中日斷交和釣魚台事件; 經濟上，世界正經歷停滯性通貨膨脹的經濟衰退，台灣的出口市場受到很大的衝擊，石油危機也為當時台灣的產業發展帶來結構轉型的呼聲。台灣在此時決定在國家的主導下投入積體電路產業，於1974年在工業技術研究院成立「電子工業研究發展中心」(即日後的電子所)，負責積體電路工業的推展，以電子錶為技術引進的載具，自美國引進積體電路設計及製造技術。

　　在此時期，半導體產業在行政院長孫運璿的主持下，集合美國的海外華人成立科技顧問團「電子技術顧問委員會」(Technical Advisory Committee, TAC)，為工研院擬定積體電路技術合作邀請函，並提供技術方向與諮詢。透過TAC，電子所於1976年移轉美國RCA的製程技術，1977年引進美國IMR的光罩技術。在這段期間，關於台灣半導體產業的重大發展，多與國家政策主導的工研院電子所有關。

　　這些由國家主導的策略，企圖引進半導體產業製造流程的上游(設計、光罩)與中游(製造)技術及培養人才。但這些政策與民間企業未能發生實質交流，因此這一時期國內的半導產業仍是以外資的飛利浦、德州儀器和摩托羅拉的封裝業為主。



國家主導與在地企業培植時期 1980-1989

　　為引進科技工業與人才，進而帶動工業技術的研究創新，行政院於1980年成立科學園區。1981年，在工研院電子所的主導下成立聯華電子公司(UMC)，其為國家與私人資本共同投資。聯華電子的性質為工研院電子所的衍生(spin-off)公司，是將國家研究機構將技術整廠移轉至民間部門的首例，也是促使民間使用積體電路技術的開始。

　　由於當時民間對半導體產業並不瞭解，使得民間企業的投資意願低落，也有不少留美學人投資失敗的例子。且在行政院於1982年開始推行的「超大型積體電路發展計畫」(VLSI計畫)的執行過程中，設計技術的進步並未能有民間相對應的生產能力來支援，這顯示了在政府主導的政策與民間企業能力之間的落差。為了解決這個問題，政府決定再援用聯華電子公司的先例，由政府與民間共同投資，由電子所在1987年衍生成立台灣積體電路製造公司(TSMC)，藉以提升民間的積體電路製造能力。台積電為全球第一家專業晶圓代工廠，其設立代表了積體電路產業一種新分工型態的出現，其在晶圓代工市場區隔的成功，也代表了台灣積體電路製造技術的生根。

　　自1980年新竹科學園區的設立開始，工研院的衍生公司(聯電、台積電)相繼成立，歸國學人、民間投資陸陸續續進入半導體產業，顯示了民間已經有了自主的能力，台灣的半導體產業，已經由下游的封裝業(以外資為主)，邁入以在地企業為主的上游的設計、光罩業和中游的製造業。



在地企業自主時期：1990至今

　　經過十幾年培植在地半導體企業，1990後有更多民間公司擴廠，同時也有許多新公司成立。台灣半導體產業至此已脫離國家主導的色彩。例如1994 年電子所衍生成立世界先進積體電路公司，便引來民間廠商對政府角色的質疑及對不公平競爭的憂慮，說明了在地企業已經具有相當的資金、技術和研發能力。

　　台灣半導體產業的發展，反應了其從勞力密集轉變為資本密集、高科技的產業，其已從60年代外資主導的封裝，發展到現今完整的上(設計、光罩)、中(製造)、下游(封裝、測試)的在地企業。