[技術討論] 你寫爆 TBW 未 ??

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發表於 2023-7-5 02:46 | 只看該作者

TBW是工廠商對保養期限的一種設定，例如保養5年，當然如果個SSD是健康正常的話，使用超過5年的話是冇問題的，看你怎樣使用，TBW也是同理，例如一個SSD的TBW是300，咁一個健康正常的SSD能正常寫入300TB是冇問題的，設這個5年同300TBW就是廠商向消費者作出的一種保證，但不代表個SSD只能用5年或只能寫入300TB，兩者都不是上限，當然為左銷量，廠商都想這個數字比其他廠商高，但在保養期內或TBW內壞，廠商就要換一個新的SSD俾消費者，咁對廠商也是一種損失，所以不會蠢到給出的保養年期同TBW數量是SSD的上限。TBW的寫入上限是幾多，應該同顆粒的生產體質有關，不同的生產日期，不同的生產地點，不同的生產製程，不同的生產技術，等等都有關，生產過程中停電，就會全部死晒。nm越小，代表製程越精細，成本越低，但越精細的野可寫入的次數就越小。nm越小，製程越精細，成本越低，容量也越大，但寫入次數反而越來越少。

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發表於 2023-7-5 03:41 | 只看該作者

以SLC為例，只有0和1，0是指少電子，1是指多電子，0可能0到3個電子，而1是7到10個電子，咁樣多同少就形成鮮明對比，速度快，錯誤少。而MLC是00，01，10，11。如果00是0到3個電子，01是4到7個電子，10是8到11個電子，11是12到15個電子，咁樣MLC相比起SLC來說，電子數要求的準確度就要高好多，MLC各個電子數之間的對比就沒SLC咁明顯，沒咁易分辨，所以MLC的速度也沒SLC咁快，而且MLC寫入的電子數量也比SLC多，所以介質的損耗也比SLC大，所以可寫入的總次數比SLC少，而在差不多大小地方分成00,01,10,11四個數字，比SLC的0和1多，所以MLC的製程是比SLM先進的，先有SLC後有MLC。至於000，001，010，100的TLC也同理，就是比MLC更先進的製程，差不多同一大小的地方可以分8個區，個區裡的電子數要更精準，當然要分辨更精準的電子數量速度也更慢，寫入的電子數量也比MLC多，對介質的損耗也更大，可寫入的線次數也更少。所以從製上是TLC大於MLC大於SLC，也是為什麼先有SLC再有MLC和TLC的原因。

rabbit82047

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發表於 2023-7-5 05:38 | 只看該作者

最近先壞左隻 plextor ssd，所以 tbw 呢 d，就快連參考都無意思

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發表於 2023-7-5 05:51 | 只看該作者

最近先壞左隻 plextor ssd，所以 tbw 呢 d，就快連參考都無意思
rabbit82047 發表於 2023-7-5 05:38

保養期內就去代理換新的。過左保養期也是情理之內。你唔注意保養或冇去登記保養就是你的問題。SSD內除左顆粒，還有其他元件，都有機會壞，控制器過熱也是好多SSD壞的主因，不一定是顆粒壞。

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發表於 2023-7-5 06:25 | 只看該作者

TLC速度慢，解決的方法就是加DDR快閃記億體(俗稱有dram的SSD)或用TLC模擬SLC(俗稱SLC Cache)。有dram的好處就是把資料先寫入dram，所以速度快，但如果文件大過dram，當dram寫滿，速度一樣會慢返落來。TLC模擬SLC就是把TLC的8個區模擬成2個區，就差不多相當於SLC，當然這種模擬的無論是速度還是壽命都無法同真正的SLC相比，但也總比不模擬的受消費者歡迎。通常模擬出來的SLC Cache 就是20G到200GG以上都有，不同廠商不同產品定位都有不同的模擬數量，只要單次寫入的文件不超過模擬的SLC大小，都不會有降速的問題，(當然過熱是會有降速問題的)。而TLC模擬SLC是會有寫入放大的問題的，你明明只是寫入1MB的資料入SLC Cache，實際上你已經寫入左4MB的左右大小了。因為TLC模擬SLC容量是會小4倍的。而SLC Cache裡的資料在閒置時會寫入TLC中，釋放返SLC Cache的空間。有一D SSD是全盤模擬SLC，就是全盤寫入放大4倍，完全是在用生命換取速度。當然有dram同用TLC模擬SLC是可以同時存在的。