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標題: [技術討論] 你寫爆 TBW 未 ?? [打印本頁]

作者: wi111    時間: 2023-7-4 22:39     標題: 你寫爆 TBW 未 ??

本帖最後由 wi111 於 2023-7-5 15:41 編輯

見有講開 TBW 唔知大家d SSD 最多寫到幾多 ??

840evo
37TB, 30500 h on time

850evo
41TB, 17500 h on time

860evo
28TB , 10000 h on time

870qvo
17TB, 6000 h on time

家用真係唔易寫爆....

你地d SSD 又寫左幾多 ?
作者: 阿伯007    時間: 2023-7-5 02:46

TBW是工廠商對保養期限的一種設定,例如保養5年,當然如果個SSD是健康正常的話,使用超過5年的話是冇問題的,看你怎樣使用,TBW也是同理,例如一個SSD的TBW是300,咁一個健康正常的SSD能正常寫入300TB是冇問題的,設這個5年同300TBW就是廠商向消費者作出的一種保證,但不代表個SSD只能用5年或只能寫入300TB,兩者都不是上限,當然為左銷量,廠商都想這個數字比其他廠商高,但在保養期內或TBW內壞,廠商就要換一個新的SSD俾消費者,咁對廠商也是一種損失,所以不會蠢到給出的保養年期同TBW數量是SSD的上限。TBW的寫入上限是幾多,應該同顆粒的生產體質有關,不同的生產日期,不同的生產地點,不同的生產製程,不同的生產技術,等等都有關,生產過程中停電,就會全部死晒。nm越小,代表製程越精細,成本越低,但越精細的野可寫入的次數就越小。nm越小,製程越精細,成本越低,容量也越大,但寫入次數反而越來越少。
作者: 阿伯007    時間: 2023-7-5 03:41

以SLC為例,只有0和1,0是指少電子,1是指多電子,0可能0到3個電子,而1是7到10個電子,咁樣多同少就形成鮮明對比,速度快,錯誤少。而MLC是00,01,10,11。如果00是0到3個電子,01是4到7個電子,10是8到11個電子,11是12到15個電子,咁樣MLC相比起SLC來說,電子數要求的準確度就要高好多,MLC各個電子數之間的對比就沒SLC咁明顯,沒咁易分辨,所以MLC的速度也沒SLC咁快, 而且MLC寫入的電子數量也比SLC多,所以介質的損耗也比SLC大,所以可寫入的總次數比SLC少,而在差不多大小地方分成00,01,10,11四個數字,比SLC的0和1多,所以MLC的製程是比SLM先進的,先有SLC後有MLC。至於000,001,010,100的TLC也同理,就是比MLC更先進的製程,差不多同一大小的地方可以分8個區,個區裡的電子數要更精準,當然要分辨更精準的電子數量速度也更慢,寫入的電子數量也比MLC多,對介質的損耗也更大,可寫入的線次數也更少。所以從製上是TLC大於MLC大於SLC,也是為什麼先有SLC再有MLC和TLC的原因。
作者: rabbit82047    時間: 2023-7-5 05:38

最近先壞左隻 plextor ssd,所以 tbw 呢 d,就快連參考都無意思
作者: 阿伯007    時間: 2023-7-5 05:51

最近先壞左隻 plextor ssd,所以 tbw 呢 d,就快連參考都無意思
rabbit82047 發表於 2023-7-5 05:38


保養期內就去代理換新的。過左保養期也是情理之內。你唔注意保養或冇去登記保養就是你的問題。SSD內除左顆粒,還有其他元件,都有機會壞,控制器過熱也是好多SSD壞的主因,不一定是顆粒壞。
作者: 阿伯007    時間: 2023-7-5 06:25

TLC速度慢,解決的方法就是加DDR快閃記億體(俗稱有dram的SSD)或用TLC模擬SLC(俗稱SLC Cache)。有dram的好處就是把資料先寫入dram,所以速度快,但如果文件大過dram,當dram寫滿,速度一樣會慢返落來。TLC模擬SLC就是把TLC的8個區模擬成2個區,就差不多相當於SLC,當然這種模擬的無論是速度還是壽命都無法同真正的SLC相比,但也總比不模擬的受消費者歡迎。通常模擬出來的SLC Cache 就是20G到200GG以上都有,不同廠商不同產品定位都有不同的模擬數量,只要單次寫入的文件不超過模擬的SLC大小,都不會有降速的問題,(當然過熱是會有降速問題的)。而TLC模擬SLC是會有寫入放大的問題的,你明明只是寫入1MB的資料入SLC Cache,實際上你已經寫入左4MB的左右大小了。因為TLC模擬SLC容量是會小4倍的。而SLC Cache裡的資料在閒置時會寫入TLC中,釋放返SLC Cache的空間。有一D SSD是全盤模擬SLC,就是全盤寫入放大4倍,完全是在用生命換取速度。當然有dram同用TLC模擬SLC是可以同時存在的。
作者: wi111    時間: 2023-7-5 14:39

多謝樓上詳細說明,但好似係依個 post 只係好奇大家d SSD 寫左幾多 TBW .....
作者: freefdhk    時間: 2023-7-5 15:30

高用量果幾台一年 40-50TB 左右寫入.
SLC / MLC 既健康度就沒扣過.

TLC 果台既健康度得返 20%.  (1.4萬小時 , 68TB寫入)
不過似FW問題, 更新前倒水咁扣,  更新FW後無咩再跌。
作者: DiuLee    時間: 2023-7-5 16:11

TLC速度慢,解決的方法就是加DDR快閃記億體(俗稱有dram的SSD)或用TLC模擬SLC(俗稱SLC Cache)。有dram的好處 ...
阿伯007 發表於 2023-7-5 06:25

請問 qlc 會點?

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作者: DiuLee    時間: 2023-7-5 16:13

本帖最後由 DiuLee 於 2023-7-5 16:14 編輯

我有隻 crucial 2TB, around 2 年,好少寫入,可能 TBW 10分1都冇。無任何 alert 一野就死左。。。

相同 case adata, sandisk 都試過。

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作者: 阿伯007    時間: 2023-7-5 17:04

請問 qlc 會點?  

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DiuLee 發表於 2023-7-5 16:11


QLC同TLC一樣,把16個區模擬成2個區,把QLC模擬成SLC。現在好流行開箱文,買野前,看別人的開箱評測,滿意先去買,買左返來又會自己評測一次個速度是否一樣,所以不把TLC或QLC模擬成SLC的廠商的產品是好難賣出去的,所以會變成所有廠商都會模擬成SLC來增加自己產品的競爭力,咁QLC是不是會死得好快?其實當個SSD寫入越多墅時,就會越來越慢,也就是當SSD是空盤時就會模擬成SLC,等D開箱文測試看上去好靚仔。但當寫入30%,50%時,慢慢就不再模擬,或只模擬一部份,當個SSD寫入70%滿時,就會好慢完全不再模擬。所以很多QLC速度快只是在空盤時測試的,越來越滿就會越來越慢。好多手機包括蘋果手機都是咁的,初初果2,3年都是好快的,用多幾年就越來越慢,是廠商的更新整慢部手機的,目的是想你快D換機。
作者: ckyuen2    時間: 2023-7-5 17:52

QLC用用吓會慢到你費鬼事再用來放新嘢
1TB或以上唔係特登試的話
其實更難寫爆TBW
作者: 口o口    時間: 2023-7-5 18:02

980PRO 1TB 6880小時 26TB TBW ....多唔多?
作者: wi111    時間: 2023-7-5 18:40

回覆 13# 口o口

唔係多姐..如果係 OS 碟差唔多啦





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