作者: palmtree 時間: 2017-1-14 14:49 標題: 比NAND快一千倍：中芯國際出樣40nm ReRAM存儲芯片
本帖最後由 palmtree 於 2017-1-19 15:46 編輯
https://www.taiwanfansclub.com/article-488933-1.html
以紫光為代表的中國公司正在斥資數百億美元投入NAND、DRAM等等存儲芯片市場，2018年將推出國產3D NAND閃存，意圖實現國家要求的芯片自給率要求。不過在NAND領域，中國公司研發、生產已經晚了20多年，更大的希望還是在在新一代存儲技術上。中芯國際（SMIC）日前正式出樣40nm工藝的ReRAM（非易失性阻變式存儲器）芯片，更先進的28nm工藝版很快也會到來，這種新型存儲芯片比NAND閃存快一千倍，耐用一千倍。
▲SMIC中芯國際已經出樣40nm工藝的ReRam存儲芯片
在存儲芯片領域，NAND閃存是目前的絕對主流，保守點說三五年內它都會是電子設備存儲芯片的主流選擇，但研究人員早就開始探索新一代非易失性存儲芯片了，，Intel、美光研發的3D XPoint之前有說是基於PCM相變存儲，也是新一代存儲芯片范疇了，而今天說的ReRAM（非易失性阻變式存儲器）更是代表性的非易失性存儲器。
雖然它的名字中帶RAM，不過ReRAM其實更像NAND閃存那樣用作數據存儲，只不過它的性能更強，密度比DRAM內存高40倍，讀取速度快100倍，寫入速度快1000倍，耐久度高1000倍，單芯片（200mm2左右）即可實現TB級存儲，還具備結構簡單、易於制造等優點。
說到ReRAM，不得不提的一家公司就是Crossbar，根據該公司資料，Crossbar技術首先由中國出生的盧偉（Dr. Wei D. Lu）博士研發，他也是Crossbar的首席科學家和聯合創始人。盧博士擁有中國清華大學物理學士學位，以及德克薩斯州萊斯大學物理學博士學位。盧博士在ReRAM領域積累了十二年的研究經驗，他先作為哈佛大學的博士後研究員，然後被任命為密歇根大學教授從事這項研究。他是納米結構和設備行業的領先專家，包括基於雙端電阻開關設備的高密度內存和邏輯系統、神經元電路、半導體納米線設備和低維系統中的電子輸運。
2016年這家公司獲得了8000萬美元的風投，其中中國公司也參與了，而Crossbar去年3月份也宣布進軍中國市場，他們的合作夥伴就是SMIC中芯國際，將基於後者的40nm CMOS試產ReRAM芯片。根據該公司副總裁Sylvain Dubois所說，2016年內中芯國際已經開始給客戶出樣40nm工藝的ReRAM芯片，實現了該公司之前2016年內推出ReRAM的承諾。
不僅如此，更先進的28nm工藝版ReRAM芯片也將在2017年上半年問世，只是Sylvain Dubois拒絕表態是否還是由SMIC生產，還是交給其他代工廠。
紫光、南京敲定半導體基地建設，擴張 3D NAND Flash 產能
作者 liu milo | 發布日期 2017 年 01 月 19 日 14:59 | 分類 晶片
中國紫光集團董事長趙偉國日前才透露，未來一年將再砸 460 億美元在中國成都、南京各建一座晶圓廠，而話才說沒多久，18 日紫光與南京市政府已就半導體產業基地項目正式簽約
18 日紫光集團與南京市政府正式就半導體產業基地項目進行簽約，包含紫光集團董事長趙偉國、南京市所轄江蘇省委書記李強、省委副書記暨省長石泰峰、南京市委書記吳政隆等人都出席簽約儀式。
據悉，此次半導體基地投資主要將用於生產 3D NAND Flash、DRAM 等記憶體晶片，土地面積約 1500 畝，一期將投入約 100 億美元，目標月產能約 10 萬片，但官方並未透露量產的明確時程。
以建設項目來看，這個投資案可能還得等等，紫光集團聯合武漢新芯共組長江存儲，有意從 3D NAND Flash 取道進入記憶體產業，技術來源就是與現已併入賽普拉斯（Cypress）的飛索半導體（Spansion）合作，傳聞雙方目標在 2017 年或 2018 年初推出 32 層堆疊 3D NAND Flash，然目前仍未有動靜，長江存儲近日甚至發布新聞稿澄清，從未發表過 32 層 3D NAND Flash 今年量產的消息，目前連要生產的產品都還未有著落。
紫光/長江存儲量產 3D NAND Flash 產品的廠房日前才在 12 月底動土，項目總投資金額約 240 億美元，預期於 2018 年完成建廠投產、2020 年完成整個項目，總產能將達到 30 萬片一個月。紫光集團趙偉國在 11 日喊出 2017 年將在南京與成都再投資半導體製造基地，這三個基地的總投資金額超過 700 億美元。
紫光與成都政府去年 12 月 13 日已簽署《紫光 IC 國際城項目合作框架協議》規劃於成都建廠，現在 18 日再與南京市政府簽約，就看紫光何時真正開始展開建設！
作者: Frozen 時間: 2017-1-14 15:02
哦。。。。。。。
作者: fortresscar 時間: 2017-1-14 15:20
辛苦樓主, 星期六下午都要開工
作者: Once 時間: 2017-1-14 15:30
真係出到又唔區
最多唔用中國牌子
作者: 132003hk 時間: 2017-1-14 15:30
比較關心有冇偷開門
作者: mrtraderchan 時間: 2017-1-14 21:24
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作者: palmtree 時間: 2017-1-14 22:38
本帖最後由 palmtree 於 2017-1-14 22:44 編輯
ReRAM
ReRAM代表電阻式RAM，將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結合於一身。換句話說，關閉電源後記憶體仍能記住資料。如果ReRAM有足夠大的空間，一台配備ReRAM的PC將不需要載入時間。ReRAM基於憶阻器原理，致力於商業化ReRAM的企業包括惠普、Elpida、索尼、松下、美光、海力士等等。
外文名ReRAM 研究單位日本富士通的川崎實驗室 性 質電阻式記憶體 作 用能提供更低的功耗
日本富士通的川崎實驗室透露,他們研發出了一種新型的非揮發ReRAM(電阻式記憶體),能提供更低的功耗.
包含鈦鎳氧化物結構的ReRAM,在刷寫時只需要100mA的電流甚至更少,相比傳統ReRAM,研究人員還降低了90%的波動電阻值,這一技術指標在反復高速寫入和擦除時會影響產品品質和壽命.
新的技術可以更快地完成存取,5毫秒內存取10000次.
這種ReRAM未來可以替代目前的FlashRAM,並且成本較低,表現也非常突出.
日本Elpida公司,夏普公司和東京大學於2010年10月宣佈共同開發次世代的ReRAM記憶體,並希望在2013年量產實用化。
這種新型的記憶體消費電流更低,比現有的手機採用的NAND型存儲速度快約1萬倍。實用化後，將提高手機下載高畫質動畫速度，並且消耗更低的電量，從而可以延長手機的使用時間。
ReRAM由夏普公司研究材料技術和製造方法，Elpida公司提供記憶體的加工組合技術，東京大學等學術研究機構提供技術上的支援。
基礎電子學教科書列出三個基本的被動電路元件：電阻器、電容器和電感器；電路的四大基本變數則是電流、電壓、電荷和磁通量。任教于加州大學伯克利分校，並且是新竹交通大學電子工程系榮譽教授的蔡少堂（Leon Chua），37年前就預測有第四個元件的存在，即憶阻器（memristor），實際上就是一個有記憶功能的非線性電阻器。
惠普公司實驗室的研究人員最近證明憶阻器的確存在，研究論文在5月1日的《自然》期刊上發表。加州大學伯克利分校電機工程和電腦科學系教授蔡少棠，1971年發表《憶阻器：下落不明的電路元件》論文，提供了憶阻器的原始理論架構，推測電路有天然的記憶能力，即使電力中斷亦然。惠普實驗室的論文則以《尋獲下落不明的憶阻器》為標題，呼應前人的主張。蔡少棠接受電話訪問時表示，當年他提出論文後，數十年來不曾繼續鑽研，所以當惠普實驗室人員幾個月前和他聯繫時，他吃了一驚。
憶阻器可使手機將來使用數周或更久而不需充電；使個人電腦開機後立即啟動；筆記型電腦在電池耗盡之後很久仍記憶上次使用的資訊。憶阻器也將挑戰掌上電子裝置目前普遍使用的快閃記憶體，因為它具有關閉電源後仍記憶資料的能力。利用惠普公司這項新發現製成的晶片，將比今日的快閃記憶體更快記憶資訊，消耗更少電力，佔用更少空間。憶阻器跟人腦運作方式頗為類似，惠普說或許有天，電腦系統能利用憶阻器，像人類那樣將某種模式（patterns）記憶與關聯。
爾必達前社長助拳，合肥大砸 8,000 億日幣蓋 DRAM 廠
http://technews.tw/2016/02/22/hefei-dram/
日企先明行 台後暗走 登陸 阻不了 大腦出走 已培育新團隊 紅色產業鏈開始現形 美光買到軀殼買不了靈魂 市場在中國
作者: big_nature 時間: 2017-1-15 09:49
新世代的儲存體!
作者: abc888 時間: 2017-1-15 14:54
希望快d出
作者: masseffect 時間: 2017-1-15 15:22
出左再講
INTEL 個3D XPOINT 之前夠話好勁，等左咁耐都未有
而且好似越嚟越無想像中咁勁
作者: wyhui5124 時間: 2017-1-15 15:35
响Paper上面就勁到無論,但量產倒先講喇
作者: tuung 時間: 2017-1-15 15:42
快d出
作者: dds 時間: 2017-1-15 21:50
香港引入大陸地產發展商, 市民以為有平樓住，
點知d樓一樣咁q貴. 同一logic，最後都係無平ram用.
都係個句， 出到先講.
作者: YES_MAN 時間: 2017-1-15 23:21
8000萬美元的風投!
風投九成係倒錢落海
作者: palmtree 時間: 2017-1-16 08:57
本帖最後由 palmtree 於 2017-1-16 09:10 編輯
1) 本港政府 是什麼組成
2) 本港房地政策 因取消租金管制而失控 在什麼時間開始
3) 以現時 本地地產集團 壟斷 而引入 外來發展商 競爭 又是否沒有益處 ?
4) 今天 教育體系 的 傳統公民教育 (經濟與公共事務) 早被教育利益團體 政治化 完全僭建修改 的 生財政治工具 , 民生生活細節 全部成其生財工具 , 不深度改革 教育政策 及 資源運用 , 本地仍是一樣 , 雞與蛋的關係 非一朝一夕形成 及可解決
財富只是數字, 要用到方為有用, 恐怕全民要理解 本地才有機會發展高技術產業
作者: soho888 時間: 2017-1-18 12:01
日日狗吹,吹足20年.......
作者: yukashing 時間: 2017-1-18 12:05
2003年6月1日，《三峽大壩固若金湯，可以抵擋萬年一遇洪水》
2007年5月8日，《三峽大壩 今年起可防千年一遇洪水》
2008年10月21日，《三峽大壩可抵禦百年一遇特大洪水》
2010年7月20日，《長江水利委：不能把希望都寄托在三峽大壩上》
作者: onetoend 時間: 2017-1-18 12:55
2003年6月1日，《三峽大壩固若金湯，可以抵擋萬年一遇洪水》
2007年5月8日，《三峽大壩 今年起可防千年一遇 ...
yukashing 發表於 2017-1-18 12:05
佢話可以頂 核爆 喎.....
作者: palmtree 時間: 2017-1-18 17:21
本帖最後由 palmtree 於 2017-1-18 17:38 編輯
40nm ReRAM晶片正式出樣 中芯國際向上走勢頭勁
http://ee.ofweek.com/2017-01/ART-8460-2816-30093057.html
導讀： 在經過2016的一系列擴張之後，近日，Crossbar與中芯國際合作的40nm ReRAM晶片正式出樣，再次為晶片國產化發展提振士氣。另有資料顯示，中芯國際去年銷售額增至29.2億美元，比2015年大增31%，市占率提升1個百分點至6%。
OFweek電子工程網訊 在經過2016的一系列擴張之後，近日，Crossbar與中芯國際合作的40nm ReRAM晶片正式出樣，再次為晶片國產化發展提振士氣。另有資料顯示，中芯國際去年銷售額增至29.2億美元，比2015年大增31%，市占率提升1個百分點至6%。中芯國際表現愈發給力，在追趕台積電、GF等一線大廠向上走的道路上勢頭強勁。
出樣40nm ReRAM晶片
近日，Crossbar與中芯國際合作的40nm ReRAM晶片正式出樣。據介紹，ReRAM的名字中帶RAM，不過ReRAM其實更像NAND快閃記憶體那樣用作資料存儲，只不過它的性能更強，密度比DRAM記憶體高40倍，讀取速度快100倍，寫入速度快1000倍，耐久度高1000倍，單晶片即可實現TB級存儲，還具備結構簡單、易於製造等優點。另外，更先進的28nm ReRAM晶片也將會在2017年上半年問世。
居全球晶圓代工第四名
據IC Insights“2017年McClean報告”預測，2016-2021年晶圓代工市場將以7.6%的年複合增長率（CAGR）增長，從2016年的500億美元增長到2021年的721億美元。以下為全球晶圓代工廠最新排名預測：
在前十榜單中，臺灣共有四家企業上榜，大陸兩家，美國、韓國、以色列、德國各有一家上榜。
2016年，前四大晶圓代工廠台積電、格羅方德、聯華電子和中芯國際占全球市場總量的85%。其中，台積電獨佔全球晶圓代工市場59%的份額，格羅方德、聯華電子和中芯國際三家合併市場份額占26%。
目前IC代工廠主要有兩類客戶，Fabless公司例如Qualcomm、Nvidia、Xilinx、AMD等，和IDM廠商例如ON，ST，TI，Toshiba等。
自1988年以來，IC代工廠的成功主要通過IDM外包的形式促進銷售增長。此外，大量新增的中小型IC公司偏愛Fabless的商業模式，包括富士通，IDT，LSI公司，Avago和AMD在過去幾年中成長為Fabless廠商。
半導體行業大將蔣尚義加盟
上月21日，中芯國際在港交所公佈，台積電前共同營運長、資深研發副總蔣尚義已與公司簽訂服務合約，出任獨立非執行董事職位。中芯指出，依照服務合約，蔣尚義有權獲得年度酬金4萬美元，以及18.75萬可供認購普通股、18.75萬受限制股份。
蔣尚義在半導體行業工作40年，在台積電工作期間主要負責技術研發，先後擔任過研發副總裁、共同首席營運長及董事長顧問等職，牽頭了0.25um、0.18um、0.15um、0.13um、90nm、65nm、40nm、28nm、20nm和16nm FinFET等關鍵節點的研發。在臺灣半導體工業界和台積電的威望很高，一度是外界呼聲最高、最看好的接班人選，對技術和產業發展有非常深刻的理解。
勇爭前三
中芯國際成立於2000年， 2014年底獲得中國政府300億人民幣產業基金支持。中芯試圖擠入台積電，Intel這幾家所把持的半導體市場，然後由於財力和制程技術的不足，技術落後台積電至少2代以上，使其始終難以承擔大型的IC設計客戶（如高通）的重要訂單。
然而，由於受中國反壟斷調查的壓力，高通在2015年選擇與中芯國際合作，幫助後者提升工藝制程，同時將部分晶片訂單交給後者。在高通的幫助下，中芯國際的28nm工藝迅速在2015年量產，更在去年成功將工藝改進到28nm HKMG，與聯電處於同一水準。
據分析，中芯的28nm制程，占其2016年產能比重未達1%，營收比重則在2%以內，但2017年占營收比重可望明顯增加到10%以上。預估2017年中芯28nm產能的80%仍是集中在中低階應用。
中芯的營收成長率在全球前五大晶圓代工廠中已居第一，由於大陸對晶片自給訂定積極目標加上本土需求龐大，預計未來幾年中芯仍將維持較高的產能擴張速度。中芯在2016年的投資金額達25億美元，已超越聯電。
中芯未來幾年的擴產佈局，可謂遍地開花，包括在北京、上海、深圳、寧波以及杭州等地，都有新的12寸晶圓廠投資計畫，雖然部分投資案目前僅止於土地取得、尚未裝置機台的階段，但可看出中芯旺盛的企圖心。
龐大人口消費市場 有利發展創新技術 資金回籠快 萬達由地產發蹟 轉戰國際娛樂產業 , 本港 拒絕 馬雲上市 , 早十數年拒絕 台灣 半導體 設廠 使香港優勢盡失 值得反思
科技產品 世代升級加快 各廠商 將跟進 RERAM 免失先機 , SAMSUNG 先佔 3D V-NAND 成 見證 美光 東芝 辛苦追
Crossbar unveils RRAM with whopping 1TB memory
http://www.techshout.com/hardwar ... hopping-1tb-memory/
作者: erinnerung 時間: 2017-1-18 17:41
回覆 17# yukashing
牛皮吹太大, 要收縮返
作者: 係乜 時間: 2017-1-18 18:28
比較關心有冇偷開門
132003hk 發表於 2017-1-14 15:30
開後門快一千倍, 所有資料讀取並自動上傳至大陸server快100倍
作者: Tenzin 時間: 2017-1-18 18:49
本帖最後由 Tenzin 於 2017-1-18 18:57 編輯
回覆 yukashing
牛皮吹太大, 要收縮返
erinnerung 發表於 2017-1-18 17:41
唔止牛皮吹太左, 仲混淆視聽
當年唔比馬雲上市, 因為佢要賣股票唔連股權(同股不同權), 即係話就算你買左佢90%股份, 馬雲10%股票都一樣可以大過你話哂事, 結果ban佢的不是香港人, 而係由大陸派落黎的證監ban左佢, 因為連佢地都認為如果准馬雲咁玩法, 香港金融中心遲早玩完, 結果馬雲一氣之下走去美國上市, 而美國啋你都傻, 最後都要跟美國上巿果一套, 美國都有同股不同權, 但可透過集體訴訟來保障小股東, 法律上對小股東有較充足的保障, 結果依家最大股權的是美國公司, 仲派好多獨立董事昅住馬雲, 唔比佢亂黎, 聽講依家馬雲後悔不已
另外半導體工業是嚴重污染的工業, 包括可能會排放大量重金屬和酸性廢水, 上網google一下台灣最大半導體封裝廠日月光的偷排廢水事件, 強酸廢水的HP值高達2.63, 鎳含量4.38毫克, 每日廢水排放量高達5500噸, 污染下遊940公頃農地, 農地要休耕百年先至可以分解復原, 否則種出的米一樣含有鎳, 鎳可引發肺癌、攝護腺癌等等, 香港可以容許咁玩法咩? 香港可以承受咁玩法咩?
作者: 132003hk 時間: 2017-1-18 22:08
回覆 17# yukashing
一語道破一矢中的一箭Ｎ鵰
作者: eo38cl 時間: 2017-1-18 22:29
本帖最後由 eo38cl 於 2017-1-18 22:37 編輯
結果依家最大股權的是美國公司, 仲派好多獨立董事昅住馬雲, 唔比佢亂黎, 聽講依家馬雲後悔不已
Tenzin 發表於 2017-1-18 18:49
只有三類人有權及有名額可提名阿里巴巴董事:
一、阿里巴巴合夥人
二、軟庫
三、提名及公司治理委員會 (組成: 馬雲（主席）、董建華、楊致遠)
http://www.alibabagroup.com/tc/ir/governance_6
其他股東只係對已被提名的董事有否決權，但冇董事提名權。
若提名的董事被股東投票否決後，提名人可再提名另一人，而該人將無需再經選舉，自動獲任命一年。
作者: palmtree 時間: 2017-1-19 08:20
本帖最後由 palmtree 於 2017-1-19 10:03 編輯
唔止牛皮吹太左, 仲混淆視聽
當年唔比馬雲上市, 因為佢要賣股票唔連股權(同股不同權), 即係話就算你買左 ...
Tenzin 發表於 2017-1-18 18:49
太古A / 太古B 有何分別 ?
過於自大 有時忽略 與對手協商 , 閣下知道 馬雲背後的是誰嗎 ???
燈塔與燈泡
https://www.youtube.com/watch?v=9J7uqBygjn0&feature=share
擴大本地金融市場擴大 及 刺激 技術產業技資 時機已失 反映 盲搶鹽 真金當假米 成 民眾主流
二次工業革命 的 標準 難在 今 工業4.0 下生存 何況 本港沿用的是 英國殖民時代的制度
本地地主集團 大戰 中國國家資本主義 , 更何況 高尖技術產業發展 離不開政府扶持 , 守財奴政策是行不通
作者: kcthomlau 時間: 2017-1-19 11:15
期待AMD自家ReRAM ppt面世，速度快1萬培，耐用高1億培
作者: palmtree 時間: 2017-1-19 13:35
在人工智慧、雲計算和大資料等前沿技術的驅動下，不論是普通消費者還是企業級客戶，對於存儲的需求是愈加強烈。而傳統存儲技術相對滯後的發展速度顯然已經很難滿足現實的需求，市場急需新一代存儲技術的出現。
近日，專注於ReRAM技術的Crossbar公司宣佈與中芯國際合作開發的40nm工藝的ReRAM（非易失性阻變式記憶體）晶片正式出樣，而更為先進的28nm工藝的ReRAM晶片也將在今年上半年問世。這意味著在存儲領域即將迎來一場變革。
存儲技術困局
隨著電子產品的愈加智慧化，為了更快速的處理通信協定、身份認證、消息生成和資料累計等任務，應用程式的底層代碼也是越寫越長，從以前的幾千位元組發展到現如今的幾百萬位元組。這也就自然而然地導致當前的存儲手段已無法滿足新一代技術對存儲容量和存儲性能的要求。
反觀當前的快閃記憶體技術，資訊的存儲是基於電荷密度，丟失幾個電子會導致嚴重的可靠性問題，一旦晶片尺寸低於25nm，快閃記憶體技術的耐久性、維持性和可靠性就會出現嚴重的不確定性。每當有新的單片機和晶片系統需要被設計時，設計人員在做結構設計時必須考慮到記憶體容量、架構和集成等相關問題。但這種努力並非是一勞永逸，另一批系統架構師仍舊需要重新研究嵌入式存儲模組與邏輯處理單元集成的方式。
002smic20170118
根據分析公司Web-FeetResearch的預測，到2018年，消費類電子產品的記憶體市場將達到28.8億美元，龐大的需求已經迫使這個問題必須得到解決了！
改良性的解決方案是資料存儲系統使用高端的存儲控制晶片來管理複雜的架構和演算法，例如，清華紫光就已經投入了數百億美元到NAND、DRAM等記憶體的開發之中，預計在明年將會推出國產3D NAND快閃記憶體，但無論是NAND還是DRAM都屬於是當前水準的技術，而且在這些領域，中國與世界先進水準相比也已經落後了20多年，所以要想實現逆轉，還是要寄希望於下一代存儲技術上。
當前在下一代存儲晶片的研發當中，除了Intel、鎂光基於PCM相變存儲技術研發的3DXPoint晶片之外，最知名的恐怕就是ReRAM晶片了。作為開發ReRAM最具代表性的企業，成立於2010年的Crossbar的實力也不可小覷，它的首席科學家和聯合創始人盧偉（Dr. Wei D. Lu）博士在ReRAM領域有十二年的研究經驗。自然這家公司的一舉一動都會引起業界的廣泛關注。為了進軍中國市場，在2016年3月，Crossbar與中芯國際達成合作，基於中芯國際的40nm CMOS試產ReRAM晶片，而如今總算是成為現實。
據悉，這種晶片比上一代的NAND晶片性能更強，密度比DRAM記憶體高40倍，讀取速度快100倍，寫入速度快1000倍，耐久度高1000倍，200平方毫米左右的單晶片即可實現TB級存儲，還具備結構簡單、易於製造等優點。
何為ReRAM？
在當今存儲的所有資料中，有90%是在過去兩年內生成的。資料生成及對資料的快速訪問已經成為現代用戶體驗不可或缺的一部分，這也將在可預見的未來繼續推動存儲需求的迅猛增長。然而，當目前的平面NAND快閃記憶體被一步縮小光學尺寸時，就會達到物理和工程極限。而象Crossbar的ReRAM這樣的下一代非易失性阻變式記憶體，就不會有這些限制，它將可以提供高性能、大容量的新型記憶體。
ReRAM代表電阻式RAM，是將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結合於一身的新一代存儲技術。換句話說，即便是在電源關閉的情況下記憶體仍能記住資料。如果ReRAM有足夠大的空間，一台配備ReRAM的電腦將幾乎不再需要載入時間。這使得ReRAM在下一代眾多高擴展性、高容量、高性能和高可靠性存儲解決方案中最被看好。
一個典型的ReRAM單元具有一個轉換材料，介於具有不同的電阻特性的兩個金屬電極之間。ReRAM的轉換效應基於在電場或熱力影響下的離子的運動以及轉換材料存儲離子的能力，而這反過來又會影響電阻測量的精度。
003smic20170118
在眾多不同的ReRAM實現方法中，它們採用不同的轉換材料和記憶體單元結構。不同的材料所具有的不同特性也會導致顯著的性能差異。ReRAM技術最大的難題在於克服溫度靈敏度、與標準CMOS技術和製造工藝的整合以及每一個ReRAM單元的選擇機制。
ReRAM已經成為大家競相看好的專案，一些公司聲稱會在未來的1-2年實現ReRAM晶片的樣片生產。
CrossbarReRAM技術的存儲介質是包裹絕緣性非晶矽（a-Si）的金屬絲。其基於電子場的轉換機制使得Crossbar ReRAM單元能夠在較廣的溫度範圍內穩定工作。
CrossbarReRAM的單元結構簡單，所採用的材料、工藝步驟和製造工具都是通用的，這使得任何一家半導體代工廠都能夠通過得到Crossbar ReRAM技術授權的方式來開展記憶體業務，製造存儲級記憶體晶片。
ReRAM記憶體的性能和比特/尺寸密度取決於記憶體單元的內聯方式。嵌入式低延滯、高速記憶體可以通過用一個電晶體對每一個記憶體單元進行單獨控制來實現。在1T1R（每1個ReRAM單元有一個電晶體）的陣列組織結構中，記憶體的總體積由每一個電晶體的體積所決定。高密度存儲級記憶體則需要有一個密度高得多的記憶體陣列組織架構，並以此來實現成本效益最優化，這就要求能夠用一個單一的電晶體來連接成千上萬的記憶體單元。這種1TnR組織結構只有當ReRAM單元的內置的選擇機制可以單獨地或者不指定地選擇ReRAM單元時才有可能實現。
004smic20170118Crossbar ReRAM I/V曲線（1T1R和1TnR）
與傳統的NAND快閃記憶體相比，CrossbarReRAM速度快的多、位元元可修改並且只需要更低的電壓，這使得它可以被應用於嵌入式和SSD設備之中。Crossbar ReRAM技術的多面性使得記憶體單元在1T1R陣列中相聯時能夠實現非常低延滯的記憶體讀取，或在交點1TnR陣列中實現面積最優（4F2單元），這都要歸功於Crossbar已經申請專利的內置選擇技術。
CrossbarReRAM技術的易製造性已經被在代工廠製造的工作陣列所證明。這一工作晶片是將單片CMOS控制器和記憶體陣列晶片整合在一起。公司目前正在完成這一器件的優化，並計畫將第一個產品推向嵌入式SoC市場，同時還將繼續在先進的制程工藝基礎上推進高密度存儲級記憶體陣列的研發。
CrossbarReRAM的優勢
到目前為止，還沒有一個切實可行的NAND的替代技術，而Crossbar的ReRAM則有機會把握住這一市場價值超過400億美元的機遇。Crossbar仍在研製中的ReRAM技術已經取得了顯著的商業化進展，只要保持這一優勢，他們將能夠搭建一個具有成本效益的、多層級的ReRAM市場，從而超越3D NAND等競爭對手。——Alan Niebel Webfeet Research創始人兼CEO
Crossbar不聲不響地帶來了一個極具吸引力的、全新的替代性記憶體技術。他們解決方案的關鍵是將ReRAM內置於存儲單元之中，不像其它ReRAM技術還需要一個單獨的外部設備，這無疑會帶來噪音等諸多問題。而這也就會顯示出Crossbar方案的極大優勢。——Jim Handy Objective Analysis總監
CrossbarReRAM技術基於一個簡單的結構，採用CMOS工藝常用的材料以及標準的製造工藝，無需任何特別的機器設備或者材料，就可以很容易地在現有的CMOS工廠進行製造。由於Crossbar ReRAM採用了低溫後段制程工藝整合，所以多層Crossbar ReRAM陣列可以被整合到CMOS邏輯晶圓之上，從而創建出3D ReRAM存儲晶片。
Crossbar ReRAM單元存儲介質是包裹絕緣性非晶矽（a-Si）的金屬絲，這與在快閃記憶體單元裡電子存儲的形式有很大不同，因為哪怕是少量的電子損耗都會引發可靠性問題，所以鎖定電子就變成了一個艱巨的挑戰。這也是為什麼快閃記憶體的性能在較小的制程工藝尺寸上會有所降低的原因。而Crossbar ReRAM在不同尺寸上都不會影響設備的性能，並且有望被用於10納米以下的尺寸。
005smic20170118快閃記憶體技術的擴展
006smic20170118Crossbar ReRAM技術的擴展
CrossbarReRAM技術具有眾多特性，可以實現多種全新的存儲解決方案類別。Crossbar ReRAM單元的內置選擇特性允許不同的記憶體陣列配置，一個電晶體可以驅動一個或者成千上萬個記憶體單元，從而實現了針對不同目標應用的靈活設計：嵌入式代碼存儲的快速讀取和處理器的直接執行，或者對存儲資料的高密度、低延滯讀取。
Crossbar ReRAM技術相較於NAND快閃記憶體能夠將讀取延滯降低到1/100，將寫入速度提升20倍，而且還可以不受限制地對資料進行反復擦除。CrossbarReRAM技術可以以小頁模式建構，可以被獨立地擦除或者重新程式設計。通過移除無用單元回收所要求的大量後臺記憶體讀取，這種全新的存儲架構大大簡化了存儲控制器的複雜度。該技術的寫入放大率為1，從而為用戶帶來低的讀寫延滯、更低功耗以及存儲解決方案更長生命週期的好處。
憑藉這些突破性的性能和可靠性、超高的容量、低功耗以及針對多種存儲架構的可調性，Crossbar將為消費電子、企業存儲、移動計算、工業/汽車/醫療、物聯網以及可穿戴設備應用帶來一波新的創新。
性能
為了在使用者端維持令人滿意的性能指標，固態硬碟（SSDs）存儲系統設計師們不得不開發複雜的架構和演算法，以應對3D MLC/TLC NAND快閃記憶體所固有的設計局限。當NAND製造商試圖通過縮減設計從而降低成本時，複雜的系統在實際的使用者案例中對性能產生了影響，從而導致了SSD測試基準中出現的主要的系統瓶頸問題。
NAND快閃記憶體程式運作很緩慢，並且是在大型頁面的細微性上完成的。當今的MLC/TLC NAND或者3D NAND快閃記憶體需要600微秒到1毫秒來對一個8-16K位元組的頁面進行程式設計。對於典型的使用者案例來說，這個速度太慢了，所以每一個程式運作必須首先被重新導向到一個位於臨時位置的寫入緩存，比如一個SRAM或者DRAM緩存或者一個以SLC模式配置的NAND分區。
NAND快閃記憶體在進行程式設計前必須進行擦除。NAND的擦除操作非常慢，需時10毫秒左右，並且在一個非常大的4-8兆模組中進行。為了克服這一重要的設計局限，可以讓SSD控制器來管理邏輯到物理（L2P）映射，對原始和校正資料位置進行追蹤，並使得在必須進行模組擦除操作前推遲該操作成為可能。
釋放單元回收代表了資料管理的另一個附加層面，它被要求用於在記憶體處於空閒模式時正確釋放模組中的無用資料。當釋放單元回收在模組間轉移資料時，新產生的請求可能產生問題。這是一種典型的懲罰，會導致長達數秒的冗長的、不確定的延滯。
因此，對於一次SSD的寫入，通常會有幾次SSD控制器、NAND快閃記憶體和DRAM部件之間的後臺記憶體操作。這被稱為寫入放大（WA），它可以用來衡量控制器的效率。大部分系統的WA通常在3-4之間。更高的WA數值會直接影響存放裝置的可靠性和性能，因為它放大了對設備寫入的次數，使得一個單元處於速度快得多的最高週期。這點在相對更小的技術尺寸上顯得更為相關，在這些技術尺寸上，NAND記憶體單元的最高週期降至3000程式週期以下。
這些複雜的問題很大程度影響了終端使用者的體驗，並解釋了與SSD製造商所提供的SSD規格相比較，為什麼SSD基準測出的性能會有所不同。在按此寫入的情況下，假如使用者想從網路上下載一部高清電影到本機存放區器上，或者當企業存儲廣泛使用SSD時，這些問題將無法掩蓋NAND快閃記憶體技術固有的設計局限。
007smic20170118
CrossbarReRAM技術無需在程式設計前進行擦除操作。對ReRAM的單次寫入可以在很小的頁面顆粒上非常快地完成。下一代針對ReRAM進行優化的SSD控制器將能夠以更快的速度更新更小的頁面，並大幅降低NAND所需要的後臺記憶體操作。基於ReRAM的SSD將提供更低、更確定的讀取延滯（數十微秒）。
密度
Crossbar擁有專利的轉換器設備解決了高密度ReRAM開發人員面臨的最大技術挑戰之一，它被稱為潛泄電流（或漏電流）。Crossbar的3D ReRAM存儲解決方案是基於1TnR陣列（1個電晶體驅動n個電阻式記憶體單元），其選擇率使得讓一個電晶體管理很大數量的內聯的記憶體單元成為可能，從而實現很大容量的固態存儲。在1TnR模式下，1個電晶體能夠以非常低的功耗驅動超過2000個記憶體單元，但也會遇到潛泄電流的漏電問題，對典型ReRAM陣列的性能和可靠性產生干擾。Crossbar擁有專利的電場輔助超線性閾值轉換器設備解決了這一漏電問題，它採用了一個超線性閾值層，裡面有一個在閾值電壓值上形成的易變性傳導通路。這樣的電場輔助超線性閾值設備是業內第一個能夠將洩露電流抑制在0.1納安之下的轉換器，並已在一個4 Mbit整合3D堆疊式被動Crossbar陣列中成功實現。
Crossbar的轉換器在2014年年底的IEDM上進行了展示，它實現了有報告以來最高的選擇率（10的10次方），低於5mV/dec的極銳斜率，超過100M週期的耐久性，以及低於300攝氏度的處理溫度，解決了潛泄通路問題，從而解決了潛泄通道問題，體現了商用可行性。Crossbar的轉換器是第一個解決了這一設計挑戰的解決方案，為在單晶片上實現TB位元組級別的存儲成為現實鋪平了道路，從而使得ReRAM成為領先的下一代NAND記憶體替代品。
能耗
CrossbarReRAM技術將簡化掉多個資料存儲部件和SSD或者其他類似資料存儲解決方案中的控制器之間的資料讀寫管理。減少後臺記憶體操作的數量有助於提高資料存放裝置的性能和耐久性，但也降低了SSD控制器的功耗和對DRAM的使用，以及資料存儲部件在進行讀寫時的功耗。
在記憶體單元層面，CrossbarReRAM提升了程式設計性能和功耗效率。它實現了64pJ/cell的程式設計功耗，與NAND快閃記憶體相比這是20倍的提升。
可製造性和可擴展性
CrossbarReRAM包含簡單的雙端器件，能夠被整合到後端金屬層，從而成為替代NAND快閃記憶體的完美、低成本解決方案。毫無疑問，平面MLC/TLC NAND正面臨擴展性的挑戰，而其性能在10 納米尺寸也將有所減損。當20納米級別的3D NAND開始被考慮成為平面NAND的替代品時，3D NAND技術在進入10納米尺寸級別時將面臨同樣的可擴展性挑戰和性能減損。
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從單元角度來看，電阻式記憶體元件在設備面積減小時仍會產生同樣的導通電流，但是關閉電流會被降低。導通電流和關閉電流的比率通常從幾百到超過1000。它也改善了傳感範圍，使得以更少的複雜CMOS外設電路進行傳感以及在更小的技術尺寸實現MLC/TLC成為可能。Crossbar ReRAM絲基電阻式記憶體元件能把單元尺寸擴展到10納米以下。
有兩項工藝參數非常重要——轉換材料的膜厚（TSL）和轉換電極的關鍵尺寸（CD）。這些參數通過使用當今最尖端的製造設備可以很容易地得以控制，包括當今20-40納米尺寸晶圓代工廠中所使用的光刻、PECVD薄膜沉積、以及金屬刻蝕機台。
CrossbarReRAM能夠使用與製造基於CMOS的外設電路一樣的整套設備，記憶體元件可以在低溫工藝下嵌入。ReRAM單元嵌入的熱預算不會對CMOS器件性能產生影響。取決於記憶體的種類，ReRAM層通常可以在多達16個堆疊的熱預算下正常工作，而不會給器件性能帶來顯著的改變。3D ReRAM堆疊與3D NAND堆疊截然不同，它可以非常容易地使用後端整合來實現。
當ReRAM遇上人工智慧
包括臉書、亞馬遜、微軟、谷歌、阿裡巴巴、騰訊、百度等，都在產生大量的資料，包括人臉、位置、行為習慣、社交照片等。物聯網已經到來，而且正在指數級的增長；自動駕駛汽車已經進入市場，雲計算已經無處不在。我們剛開始想像如何借助于這些創新來開創一個人工智慧的新時代，創建新的商業模式、新的生產率典範和新的大眾娛樂方式，這些不僅對人類帶來意義深遠的影響，而且也為通過資料盈利的創新者帶來巨大的財富。
收集與存儲這些“大”資料是當務之急。但是，比資料有多“大”更為重要的是，如何驅動下一波的創新。在人工智慧競賽中的勝出者需要做四件事：1、訪問大量的資料；2、訪問正確的資料；3、把資料變為具有可行動性的洞察力的強大演算法；4、超越競爭對手的速度和規模。今天，通過訓練人工智慧演算法與創建新的應用，資料有機會成為利潤中心。更多的資料訓練，就會讓人工智慧演算法更聰明。
應用ReRAM這樣新的存儲技術，能夠發揮人工智慧真實的潛能，實現速度、低功耗/高能效、存儲容量與可製造性的完美結合。
當目標從簡單的代碼行的抓取，轉變成對從外部感測器獲取的大量資料進行即時處理、分析、執行時，大資料到人工智慧的根本轉變就來臨了。從感測器來的資料可以存儲在晶片上，直接輸送給深度神經網路，以便採取直接的行動。非易失性的存儲技術，比如ReRAM存儲技術，通過低功耗、快速讀取、基於位元組定址的寫操作，來説明應對性能與功耗的挑戰。
ReRAM存儲技術能夠直接集成在晶片內部，產生一個新的以存儲為中心的片上系統架構。通過與處理器核集成在同一顆晶片中的片上系統方案，ReRAM充分地加速了深度神經網路演算法。ReRAM技術是一個重要的創新，它加速人工智慧的潛能，實現多種應用，加速性能，極大地提高能效，實現更高級的安全性，減少晶片的數量和晶片的面積。
高性能計算，比如人工智慧，需要在處理器、存儲與輸入輸出之間進行高頻寬、低時延的資料訪問。ReRAM存儲技術通過減少計算與存儲之間的性能差距，可顯著提升高性能計算應用的性能。
作者: Tenzin 時間: 2017-1-19 14:09
太古A / 太古B 有何分別 ?
過於自大 有時忽略 與對手協商 , 閣下知道 馬雲背後的是誰嗎 ???
燈塔與燈 ...
palmtree 發表於 2017-1-19 08:20
真係好笑, 一方面話英國殖民地制度唔得, 一方面又想學英國殖民地時代強加於殖民地的太古A/太古B, 咁即係想點?
定係你想暗示現在是中國殖民地時代的來臨?
仲有你知道我和習近平以及馬雲背後是誰嗎?
將一段ReRAM的PPT吹水新聞, 可以扯到去什麼中國政治、馬雲背後.....然後只懂得不斷在貼文洗版, 真係大話講一百次就變真, 然後再亂套D時代名詞落去
咖啡機兄弟都可以話佢地的產品發明是代表工業4.0, Web5.0, Internet Explorer 6.0
守財奴政策行不行得通和ReRAM有什麼關係嗎? 又係亂搬一堆名詞在混淆視聽和偷換概念
作者: Tenzin 時間: 2017-1-19 14:33
本帖最後由 Tenzin 於 2017-1-19 14:39 編輯
題外話, 見到阿里巴巴的董事局有董建華個名
令我想起東方海外在這個財家仔手上又蝕到阿媽都唔認得, 敗哂祖業, 依家又傳要賣盤
上次已經救左一次, 我估今次又係大陸政府攞人民的血汗錢來救東方海外, 呢D係唔係叫私雙授受8.0
不如樓主講下中國拿錢來救東方海外董建華這個英國殖民地時代的舊東西, 還是應該將這些錢拿去發展中國工業4.0?
差D忘記左中國仲有好多山區小學和孩子要我地捐錢去養的, 可否將人民D錢用在人民身上
http://www.pol.org.hk/what-we-do/china-work/education
作者: palmtree 時間: 2017-1-19 15:00
http://iht.nstm.gov.tw/form/inde ... &gp=21&id=2
外資企業主導時期 1960-1974
早期台灣的電子工業可說毫無根基，其發展契機是以提供廉價勞動力的加工出口區為基礎。60年代的台灣的出口導向政策，吸引了美國廠商將電晶體的製造和在半導體製造流程中技術層次較低的下游封裝階段轉移到台灣。此時的出口市場亦是以美國為中心。此時期美國半導體廠對台灣的策略是以獲取廉價勞動力為出發點，而台灣也利用廉價的勞動力賺取外匯。
雖然這一階段電子工業的投資以外資為主，但因進入半導體封裝業所需資金不大，技術也不困難，國內業者如華泰、萬邦、寰宇等企業為本地半導體封裝業打了先鋒，並與外資企業公司培養了許多熟悉此領域的國內人才。交通大學在1964年設立的半導體實驗室在培育國內半導體人才方面更是功不可沒。
國家介入：主導上游技術引進時期 1974-1979
70年代初期，台灣在政治上，外交變局一再發生，如退出聯合國、中日斷交和釣魚台事件; 經濟上，世界正經歷停滯性通貨膨脹的經濟衰退，台灣的出口市場受到很大的衝擊，石油危機也為當時台灣的產業發展帶來結構轉型的呼聲。台灣在此時決定在國家的主導下投入積體電路產業，於1974年在工業技術研究院成立「電子工業研究發展中心」(即日後的電子所)，負責積體電路工業的推展，以電子錶為技術引進的載具，自美國引進積體電路設計及製造技術。
在此時期，半導體產業在行政院長孫運璿的主持下，集合美國的海外華人成立科技顧問團「電子技術顧問委員會」(Technical Advisory Committee, TAC)，為工研院擬定積體電路技術合作邀請函，並提供技術方向與諮詢。透過TAC，電子所於1976年移轉美國RCA的製程技術，1977年引進美國IMR的光罩技術。在這段期間，關於台灣半導體產業的重大發展，多與國家政策主導的工研院電子所有關。
這些由國家主導的策略，企圖引進半導體產業製造流程的上游(設計、光罩)與中游(製造)技術及培養人才。但這些政策與民間企業未能發生實質交流，因此這一時期國內的半導產業仍是以外資的飛利浦、德州儀器和摩托羅拉的封裝業為主。
國家主導與在地企業培植時期 1980-1989
為引進科技工業與人才，進而帶動工業技術的研究創新，行政院於1980年成立科學園區。1981年，在工研院電子所的主導下成立聯華電子公司(UMC)，其為國家與私人資本共同投資。聯華電子的性質為工研院電子所的衍生(spin-off)公司，是將國家研究機構將技術整廠移轉至民間部門的首例，也是促使民間使用積體電路技術的開始。
由於當時民間對半導體產業並不瞭解，使得民間企業的投資意願低落，也有不少留美學人投資失敗的例子。且在行政院於1982年開始推行的「超大型積體電路發展計畫」(VLSI計畫)的執行過程中，設計技術的進步並未能有民間相對應的生產能力來支援，這顯示了在政府主導的政策與民間企業能力之間的落差。為了解決這個問題，政府決定再援用聯華電子公司的先例，由政府與民間共同投資，由電子所在1987年衍生成立台灣積體電路製造公司(TSMC)，藉以提升民間的積體電路製造能力。台積電為全球第一家專業晶圓代工廠，其設立代表了積體電路產業一種新分工型態的出現，其在晶圓代工市場區隔的成功，也代表了台灣積體電路製造技術的生根。
自1980年新竹科學園區的設立開始，工研院的衍生公司(聯電、台積電)相繼成立，歸國學人、民間投資陸陸續續進入半導體產業，顯示了民間已經有了自主的能力，台灣的半導體產業，已經由下游的封裝業(以外資為主)，邁入以在地企業為主的上游的設計、光罩業和中游的製造業。
在地企業自主時期：1990至今
經過十幾年培植在地半導體企業，1990後有更多民間公司擴廠，同時也有許多新公司成立。台灣半導體產業至此已脫離國家主導的色彩。例如1994 年電子所衍生成立世界先進積體電路公司，便引來民間廠商對政府角色的質疑及對不公平競爭的憂慮，說明了在地企業已經具有相當的資金、技術和研發能力。
台灣半導體產業的發展，反應了其從勞力密集轉變為資本密集、高科技的產業，其已從60年代外資主導的封裝，發展到現今完整的上(設計、光罩)、中(製造)、下游(封裝、測試)的在地企業。
作者: palmtree 時間: 2017-1-19 15:02
王安電腦的興衰
無意在民族主義這議題打轉，不過我小時候的教育中，不時被灌輸「二十一世紀是中國人的世紀」一類的標語，而置身於二十一世紀的我們，也看到這樣的事實。儘管很早 (相對於同儕) 就接觸電腦，不過並沒有相當投入，只是斷斷續續的練習 Programming 或者玩著 debug.exe (或許您猜得出來，這對於撰寫 virus 很重要，不過往事不堪回首，過去作過的謬誤就不提了)，中學結束前，放棄自己期望的醫學院志願，改填寫資訊工程作為選擇，有部份程度來說，(一九) 八零年代的那些故事，對我有很大的影響，儘管這個時代已經改觀許多了。所以我願意在台北打零工度日、不時三餐匱乏之餘，作此紀錄，充當踏入 IT 產業這條路的啟蒙故事。
接觸個人電腦十餘年的今天，回想起自己用過的第一台的 PC，是在國小三年級時，家父為了追蹤股價與工程應用，透過中國鋼鐵與造船公司的關係，購買了一台當時相當新潮的 IBM-PC 80386-SX 33MHz，如果沒記錯，這台「全鎮唯一的 386 電腦」的名號，連續蟬聯好多年。稍後陸續接觸了 m86k、Alpha、Sparc，以及 HP-UX 等機器，後來因為工作，更是接觸許多廣泛的通用架構，比如 ARM 與 MIPS，不過我一直忘不了從小就耳聞的「王安電腦」，有時候會在報紙上看到其性能與商務應用的表現，當然，我也知道，那的確是「中國人的驕傲」。
王安電腦的發跡與沒落，可在許多刊物與商業分析看到，是非常著名的案例。
王安博士 (Dr. Wang An) 憑一己之力成立王安實驗室 (Wang Laboratories) 與王安電腦，在八零年代崛起，長期是公司的獨大股東，並領導企業在全球建立當時最成功的文字處理機公司。數據顯示，王安博士仙逝前，屢次名列世界前十名首富。1984 年，王安公司已創下 21 億美元的營業額的紀錄，據當時的預測指出，王安電腦可望於 1990 年達至50 億美元的營業額。然而，到 1987 年時，該企業卻有走下坡的現象。1989 年，王安去世前後，業務一蹶不振，光輝不再，若干年後，王安電腦就變成了旅美華人的一段偉大歷史。這十餘年的光景，是媒體工作者或者專家分析的焦點，歷史見證了王安電腦的創始、開拓、稱霸乃至衰落，過去王安電腦就是辦公室電腦的第一品牌，王安電腦公司享譽全球，王安也成了廣大華人的驕傲，但曾幾何時，「王安電腦」這個大名已經淡出我們的記憶。對多數人來說，電腦就是 PC，更明確來說，個人可掌握的電腦，不僅可運作商務計算、通訊，或科學運算，還能執行各式各樣的軟體，絢麗的遊戲或聲光特效更是比比皆是。王安電腦沒及時跟上改變的腳步，它還在銷售特殊功能的專屬電腦，一如過去崛起的途徑，但 PC 上的軟體卻與王安電腦硬體上的軟體徹底不相容，數量更是難以比較，然而在「美麗的錯誤」背後，王安電腦所孕育的技術與影響力，是相當巨大的。
在 1992 年王安電腦宣佈破產後，Wang Laboratories 仍有發展，例如日前喧騰一時的 [Java 侵犯到柯達的專利？！] 訴訟案，Kodak 握有的專利正是來自併購改組於 Wang Laboratories 的 Wang Software 而來的。牛津管理評論的 [美國王安電腦公司創始人王安] 一文簡述了王安生平：
1920 年 2 月 7 日生於上海，16 歲時考入上海交通大學。1945 年作為中國高級工程技術人員被派往美國深造，1945 年秋他進入哈佛大學學習。1948 年獲哈佛大學應用物理學博士學位，1951 年他出售自己發明的記憶磁芯的專利權，用所得的 50 萬美元在波士頓創辦了王安實驗室。1955 年，正式成立了王安計算機公司。1964 年推出桌面電腦，1967 年王安公司股票上市，1976 年，王安推出新型的電子文字處理機。1984 年是王安走向頂峰的一年，年收 21 億美元，其中利潤 2.1 億美元。
1986 年王安 36 歲的長子王列擔任公司總裁並負責公司的日常業務。1989 年王安公司因無力支付 2.09 億美元的欠款宣布「債務重組」，這年公司損失 4.24 億美元。王安這年撤銷了長子王列總裁的職務，由米勒擔負其職務。1990 年 3 月 24 日，王安死於癌症，米勒擔任董事長。這年公司損失 7.16 億美元。1991 年，IBM 和王安公司宣布聯合。在這種聯合下，王安公司可以銷售 IBM 電腦並提供相應的軟件。1992 年 8 月 18 日，王安公司宣布破產。
王安的遠見卓識曾使他獲得非凡的成就和榮譽，王安公司雇員最多時達 3 萬餘人，年營業額達 30 億美元，1986 年曾被列為美國第五大富豪，1989 年入選「美國發明家殿堂」，與愛迪生等大發明家齊名，曾被授與「美國總統自由勳章」。然而，其濃厚保守的家族觀念，落後於時代的內部管理機制，對 PC 和計算機網絡發展前景的錯誤預測，最終導致這位計算機界的巨人和王安電腦公司的悲劇。
至於王安電腦宣佈破產後，又是如何呢？王安電腦在 1991 年面臨破產前，Joe Tucci 接任 CEO，以一系列的策略，調整定位，逐漸轉虧為盈，為此，Joe Tucci 把王安公司絕大部分的老業務部門出售，最著名的案例就是在 1994 年，將整個軟體部門 (也就是 Wang Software) 整個出售給 Kodak，當然也伴隨前述提到的 patents。從1995年到1999年，王安電腦連續併購了十家公司，包含 Olivetti 公司，此舉讓王安電腦轉型為資訊通訊技術產業 (ICT)，公司也因此改稱「王安全球」。一連串的行動，拯救了王安公司。到 1998 年末，王安電腦公司擁有二萬多名雇員，在四十多個國家設有分公司，年收入超過35億美元，其股票市值也翻了三番。1999 年 7 月，王安公司被荷蘭著名的IT 服務企業 Getronics NV 公司收購。
寫到這裡，令我動容的是不是八零到九零年代的那段歷史，而是 1951 年王安博士創立 Wang Laboratories，到 1972 年王安電腦成功的研製出半導體為基礎的文字處理器，這是比較接近當今運算架構與設計的系統，這段時期的報導不多，但可以想見的是，是多麼艱辛。1956 年，Wang Laboratories 將「磁蕊存貯器」的專利權賣給 IBM，獲利 40 萬美元，雄心勃勃的王安並不滿足於安逸享樂，對事業的執著追求使他將這些收入全部投入研究工作。儘管我只是個工讀生，但作為一個軟體開發人員，有時必須跟硬體工程師協同工作，就算是在二十一世紀的今天，硬體設計有許多 EDA Tools 的協助，大大的減輕工作負擔，但還是相當難以控制時程，更要長期投入，我實在難以想像王安博士以及 Wang Laboratories 當時的雇員是如何接連開發出這些創新的發明與產品。我對硬體的認知，事實上只有在大學所修過的「數位電子邏輯」與「微處理器」兩門課程，翻閱教科書上許多定理、準則，以及邏輯設計時，不得不對這些遠在五零、六零，以及七零年代就已經奠定現在看到的電子工業基礎的理論以及背後的開創者，投以高度的敬意。我念的書不多，也鮮少去大學課堂上課，不過如果要我列出大學時代影響甚大的課程，這兩堂硬體絕對是相當重要的，到今日，隱約還會喚起對 J-K 正反器、DTL 電路、Logic gates，以及其他基本電路元件的記憶。
在工作之餘，我用了一些時間投入 Free / Open Source Software 的發展，其中「中文資訊化」是一個很重要的項目，雖然我的貢獻是微不足道，但是這過程中，讓我的視野開闊許多。記得第一次閱讀這方面的資料，是在國小五年級閱讀趙榮耀博士編著的「電子計算機概論」一書 (或許書名有出入)，書中即多次提到王安電腦公司以及其中文化電腦，記憶猶新的是，提到中文鍵盤種類時，有張照片顯示了大型鍵盤的畫面，也就是將數千中文字排列於一個鍵盤，每一鍵上有數個中文字，利用字鍵與選擇鍵檢出所需中文字，仔細想想，這是多麼可怕的設計。而王安電腦很早就設計出類似我們現在所用的小型鍵盤，透過特定的編碼就能迅速操作，更在中文編碼的思維，提出 3 bytes encoding 的設計，以解決跨國資訊交流即將面臨的問題，而當時國內許多廠商還在 Big5 打轉。
作者: palmtree 時間: 2017-1-19 15:05
本帖最後由 palmtree 於 2017-1-19 15:08 編輯
中國航空工業的奠基人 王助
雖然歐洲空客來勢洶洶，但中國也開始著手重新研發大飛機，但有關分析人士認為：波音公司強大的實力，讓他的地位在20年內不會動搖。
大多數人不知道，波音能有今天的翹楚地位，離不開一個中國人—王助。作為波音歷史上的第一位設計師，他為波音造出了第一架飛機，有人將王助稱為“波音之父”。
今天，位於西雅圖的波音博物館裏，陳列著有關王助的資料、照片甚至還有王助的第一張工資單。在波音工作的很多華裔工程師，特別是Boeing Asia American Professional Association (BAAPA)的會長唐克(Key Donn)先生，多年來在大量的史料中進行篩選和考證，搜集了很多關於王助的資訊。
他們的辛苦沒有白費，2005年8月，西雅圖飛行博物館在“紅色穀倉”(波音早期的辦公室，現為西雅圖飛行博物館的一部分)舉行了盛大的王助個人主題展覽的揭幕儀式，出席儀式的是航空業界的領袖人物，包括波音的中國總裁王建民先生。BAAPA還向西雅圖飛行博館贈送了一面刻有王助肖像的銅匾。波音公司希望以此來紀念這位不朽的航空工業先驅，這位永載波音公司和中國航空工業史冊的中國人。
2006年4月，胡錦濤主席訪問波音公司時，公司總裁親自向胡主席介紹王助對波音的貢獻。在場華人無不為之自豪。
名門青年投筆從戎
晚清洋務運動期間，魏源在《海國圖志》裏提出了“師夷長技以制夷”的思想。雖然洋務運動很快失敗。但“師夷長技”的浪潮卻沒有消失，並作為一種思潮，影響了好幾代人。
王助，當然也不例外。
1893年8月10日，王助出生於北京，因八國聯軍入侵，舉家避難遷回原籍河北省南宮縣。12歲小學畢業時，正值清廷興建海軍，於是他考入煙臺海軍水師學校。16歲以優異成績畢業。
清末海軍大臣薩績冰卓有遠見地發現了王助的才能，把孫女薩圭申許配給王助。將門淑女和科技英才，可謂天造之合，二人白頭偕老，伉儷情深，也成了中國科技（行情,資訊,評論）史上的一段佳話。
1909年，清朝大臣出洋考察，王助、巴玉藻、王孝豐等9人被一同帶往英國，開始了留學之旅。作為最早的留學生，他們中的很多人日後都為中國的科技作出了重大貢獻。
其中巴玉藻成了王助終生的好友和志同道合的幫手。王助無子，巴玉藻還將愛子鐘英過繼給王助為義子，更名王鐘英。王鐘英長大後繼承父業，入重慶中央工專，再入航空研究院和中航公司工作。1949年，王鐘英也赴台侍奉義父母至終。當然這是後話。1910年，王助進入阿姆斯壯海軍大學就讀，後又進維克斯工廠實習，在那裏，王助打下了重工業
幼年時期的王助
科技的實踐基礎。
改變王助一生的事發生在1912年的暑假。那年，在溫德梅湖上，王助在飛行家波特的幫助下乘坐了一次飛機，從此他就與航空結下了不解之緣。後來他又進入德蘭姆大學學習機械工程，繼續與飛機打交道。
由於第一次世界大戰的戰火蔓延至英國，1915年畢業後王助轉赴美國深造。
到美國後，王助先學習飛行技術，9月進麻省理工學院學習航空工程。他在學業上非常刻苦，成績優異，1916年6月成為麻省理工學院航空工程第二期畢業生，獲得航空工程碩士學位元，這是中國人第一次獲得航空碩士學位。史料顯示，在那一期航空工程專業的全部畢業生不過十餘人。
王助等人畢業後，正趕上袁世凱稱帝風波，他們的公費留學款項全無著落，無法立即回國。
塞翁失馬，焉知非福。國家之不幸，有時候正能成就科學家的一生。在這樣的窘境中，王助得到了進入波音的機會，為中國人在世界飛機製造史上留下了絢麗的一筆。
初出茅廬才驚天下
美國波音公司的創辦人威廉·波音原本是西雅圖市的一個木材商。1914年，威廉去觀看一場飛行表演，十分幸運地乘坐了一次飛機。翱翔在藍天上的難忘體驗，使他對航空工業產生了無法抑制的熱情，甚至專程去洛杉磯的一所飛行學校學習。後來他與好友韋斯特維爾德共同製造了一架水上飛機“B&W-1”型，由波音本人駕駛試飛成功。
1916年7月，威廉·波音與一個熱衷於航空事業的軍官威斯特夫成立了太平洋航空器材公司。1917年，威斯特夫跟隨美國海軍參戰，不得不選擇離開。威廉·波音於是將公司更名為波音。
歷史正是由無數的巧合構成。威斯特夫與王助是麻省理工學院的同班同學，由於他的離開，威廉·波音急需尋找一名航空技術方面的人才，來填補威斯特夫的位置。於是，王助被推薦進入了當時規模並不大的波音公司。
在這裏威廉·波音展示出了一位偉大老闆的眼光。年輕的王助剛剛到來，他就看准了這位人才，不久，便聘用王助為波音飛機公司第一任總工程師。
王助到來之前，波音公司已經出現了營運困難，儘管威廉·波音和威斯特夫造出了B&W-1型水上飛機，但一直處於無人問津的尷尬境況。因為飛機的主要購買者是美國軍方，但他們認為這種飛機起飛與降落的成功率很低，根本達不到軍方的標準。
王助清楚發現了B&W-1型飛機的缺點，而他的目標，就是要提高飛機起降的成功率。為此，王助設計出一架有著雙浮筒雙翼的B&W—C型水上飛機，成功地通過了美國軍方的測試。美國海軍部認為這種飛機性能穩定，並且兼具巡邏艇和教練機的雙重功能，一次就訂購了50架。
這份訂單為波音公司帶來了57萬美元的收入，是波音發展史上最需要的第一桶金。假如沒有這份訂單，波音公司很可能早已銷聲匿跡了。憑藉著王助的出色才能，新成立的波音公司開始站穩腳跟。
“中國近代航空工業奠基人王助：凋落的機翼”一文稱“但美國畢竟不是王助的祖國。儘管這架飛機的設計、製造都出自王助之手，美國軍方卻擔心他會偷學‘美國最高航空技術’，不允許他進入飛行測試場地。於是，為祖國製造自己的飛機，便成了這個經受一生中最大屈辱的年輕人最大的夢想。
然而，考諸事實，無論是王助個人、當時同行的回憶，還是現在可以看到的各種歷史資料，有關王助回國的原因，與“種族歧視”沒有絲毫的關係。所謂的“種族歧視”，主要是説美國軍方擔心最高航空機密被洩露，不許王助進入飛行測試場地。這種説法顯然不符合當時情況的。根據現在可以看到的資料，王助不但可以設計C型機，還可以駕駛飛機上天試飛。根據當年西雅圖報紙的報導，威廉‧波音十分信任自己的員工，允許他們試飛自己設計的飛機。
事實上當時的飛機設計工程師只有王助，這件事曾引起當地媒體的關注，媒體報導説王助可以試飛新型飛機，而他是一個雄心勃勃，希望在這方面有所作為的年輕中國人。我沒有在歷史記載中找到王助曾駕機試飛的資料，但王助被允許駕機試飛卻是確鑿無誤的，他也曾在畢業前，到飛機駕駛學校學習過駕駛，會駕駛飛機；波音的飛機，都是由自己的員工試飛的，軍方只負責驗收。
此外，王助設計的是教練機，並非什麼軍用戰鬥機，沒有什麼航空機密可言，波音公司設計的飛機，都是在工廠附近海上起飛試飛的，沒有嚴格的進入試驗區不進入試驗區的規定。
王助設計的C型機（照片：美國空軍部）
王助在公司成功獲得軍方大筆訂單後不到半年，就離開了波音公司回到大陸發展。其中原因，可以從與他一起同時回到大陸，也是他最知心的朋友、同行巴玉藻的有關記載中得知一二。巴玉藻與王助一樣，也是中國航空業奠基人之一，他與王助一起考上官派留學名額，與王助一起去英國留學，後來又一起轉到美國，一起進入麻省理工學院航空專業學習，一起去飛機學校學駕駛、一起畢業，他們兩人的碩士畢業論文，也是合作完成的。兩人志趣相投、經歷相似。王助婚後沒有生孩子，巴玉藻就將自己的孩子過繼給王助，成為王助的養子，兩人交情由此可見。
為國效力大展鴻圖
1917年冬，巴玉藻、王助、王孝豐為了報效國家，毅然放棄國外優越的工作條件和生活待遇，他們成為最早一批留學歸國的高級航空工程人員。”
20世紀初，中國的航空製造業只能依靠民間有識之士的推動，北洋政府並沒有製造飛機的構想。
王助等人回國後，強烈要求北洋政府籌款創辦飛機製造廠。1918年2月，中國首家正規的飛機製造廠—馬尾船政局海軍飛機工程處成立，王助被任命為副處長。從1918到1930年的12年間，海軍飛機工程處陸續設計製造出教練機、海岸巡邏機、魚雷轟炸機等飛機15架，並培養出中國第一代航空工程技術人才，馬尾也成為中國初期航空工業的搖籃。在這期間，王助貢獻極大。
1919年8月，王助與其好友巴玉藻為海軍設計製造成功第一架水上飛機—“甲型1號”初級教練機。
1922年8月，王助又與巴玉藻合作，在上海江南造船所設計製造了世界上第一個水上飛機浮動機庫—浮塢，成功地解決了水上飛行停置和維修的難題。
好友巴玉藻設計師
1923年9月，福州船政局呈請海軍部。擬將飛機工程處改為獨立機關，隸屬海軍司令部管轄。海軍司令部複令，“仍歸該局兼管”。
1929年9月，海軍部複調王助回馬尾，繼任海軍製造飛機處處長。1930年又先後研製出“江鴻”、“江雁”號高級教練機。繼任兩年，王助在提高飛機性能上有所建樹。1931年2月，南京國民政府下令將海軍製造飛機處從馬尾遷往上海，入江南造船所，並扣除該處經費。王助對此甚為不滿，因而辭職轉入中國航空公司任總工程師，後又調入軍政部航空署任上校參事，這是當時航空署最高的技術級別。1933年8月，航空署隸屬軍事委員會(1934年5月改組為航委會)，議定籌設杭州飛機製造廠，並在上海成立了建廠籌備處，後遷往杭州辦公。王助倡議與外國廠商合作建廠，以吸收外國先進技術和管理經驗。南京國民政府通過外交途徑和當時的三大空軍強國——美國、德國和義大利分別談判，歡迎他們來中國合資建廠。王助和錢昌祚、朱霖等人以中國技術專家身份參與和三國飛機製造廠商簽訂三項合同的談判和簽約。與美國合資經營的是中央杭州飛機製造公司，簡稱中杭廠，廠址選在杭州筧橋。
1934年6月底中杭廠建成投產，王助被任命為第一任監理，是中方的最高負責人。他在任3年期間，中杭廠修理、組裝和製造飛機235架，其中包括“道格拉斯”教練機、“霍克—Ⅱ”和“霍克—Ⅲ”戰鬥機、“弗利特”教練機、“雪力克”截擊機和“諾斯羅普”輕轟炸機等。中杭廠是舊中國歷史上修造飛機最多和最著名的一個飛機製造廠。中杭廠出廠的飛機，在抗日戰爭中發揮了很好的作用，深受空軍的贊許和信賴。中杭廠還為中國早期航空工業培訓出一批素質較好、技術過硬的技術人員和技術工人。
1937年3月14日，日軍首次對覽橋進行轟炸，中杭廠無法繼續生產，王助根據航委會的指示，部署後撤。同年9月，中杭廠遷到武漢。1938年春，中杭廠開始恢復生產，王助卻被航委會調走，並同黃光銳一起被派往莫斯科，商談中蘇合作事宜。
1938年10月25日，武漢被日寇佔領。航委會於1939年1月後撤至成都。7月，中國航空研究所在成都建立，航委會副主任黃光銳兼任所長，王助任副所長。研究所下設器材組、飛機組和氣動力組，王助兼任飛機組組長。所長黃光銳是空軍副總司令，從未來所辦公，王助是實際上的負責人。研究所在王助的領導下，先後研製成國產層板、蒙布、酪膠、油漆、塗料等，創造出以竹為原料的層竹蒙皮和層竹副油箱，研製出以木結構代替鋼結構的飛機，解決空軍之急需。1941年8月研究所擴充為航空研究院。黃光銳仍兼院長，王助任副院長。研究院下設器材及理工兩個系，理工系主任由王助兼任，分管氣動、結構、設計、試飛及動力5個組。王助除主管院務和研究工作外，還親自參加飛機設計工作，他每天都要到各設計組去查看和指導，自己的辦公室內就有一張很長的繪圖桌，放著一張比例為1：5的飛機總體佈置圖，他親自進行總體佈置和設備協調工作。在選材上也儘量立足國內，利用本院的研究成果，以國產木材代替進口鋼材，用國產生漆作防腐塗料，層竹的製作是先把竹片劈得很薄，編成竹席，然後把幾層竹席按不同方向膠在一起，製成薄竹板，稱為層竹，用來製造油箱、機翼和機身的蒙皮，代替鋁合金蒙皮等等。航空研究院在王助的領導和直接參與下，利用國產材料研製出大批急需的航空器材和備件，還研製出多架獨特的飛機。
解放戰爭爆發後，王助跟隨國民政府遷往臺灣。
1955年，王助應聘去成功大學任機械工程系教授，講授航空工程。年逾古稀的王教授，每去學校，均以步當車，其敬業精神，極為同仁和學生所敬仰。在任教10年中，為備課和研究工作，常深夜不眠，健康逐漸衰弱，經醫生檢查發現肝炎嚴重惡化，咳血不止。1965年3月4日在台南病逝，終年73歲。
王助編寫了《飛機設計手冊》、《航空名詞草案補遺》、《航空研究院簡史》、《中國航空公司簡史》等專著，並發表了《航空人員之體重與身高》、《飛機之V字尾》、《高空馬力因數》、《等值雜項阻力係數》等研究報告。
王助一生，任勞敬業，成果卓著，為創建和發展中國的航空事業奉獻了畢生精力，是中國航空工業傑出的奠基人。
作者: palmtree 時間: 2017-1-19 15:06
本帖最後由 palmtree 於 2017-1-19 15:40 編輯
巴玉藻，字蘊華，西元1892年（光緒十八年）生於江蘇省鎮江市。西元1928年，巴玉藻代表中國到德國參加萬國航空展覽會。會後又去英、法等國考察，於西元1929年（民國十八年）遭日本間諜暗殺身亡，當時年僅37歲。
本 名 巴玉藻 別 稱 中國航空的先驅 字 號 蘊華 所處時代 清末民國初年 民族族群 蒙古族 出生地 江蘇省鎮江市 出生時間 西元1892年（光緒十八年） 去世時間 西元1929年（民國十八年） 主要成就 主持設計了中國第一架飛機 祖 籍 內蒙古克什克騰旗 學 曆 麻省理工學院航空工程系碩士
強大的國家才有能力 自我發展技術 吧
依附別人發展 盡其量是 高級代工
作者: fireeye 時間: 2017-1-20 00:15
太古A / 太古B 有何分別 ?
過於自大 有時忽略 與對手協商 , 閣下知道 馬雲背後的是誰嗎 ???
燈塔與燈 ...
palmtree 發表於 2017-1-19 08:20
證監會二十幾年前己經唔比禁玩啦.太古己經係最後一間同埋咋一一個可以禁做的公司.
作者: rhino 時間: 2017-1-20 12:41
有興趣知咁大篇文章喺邊道抄翻泥 :XD：
作者: peaceso 時間: 2017-1-20 14:27
戰場在PPT!!!
作者: rcyw 時間: 2017-1-21 13:31
比較關心有冇偷開門
132003hk 發表於 2017-1-14 15:30
美國都有, 中國會冇...
作者: Tenzin 時間: 2017-1-21 14:56
本帖最後由 Tenzin 於 2017-1-21 15:14 編輯
有興趣知咁大篇文章喺邊道抄翻泥 :XD：
rhino 發表於 2017-1-20 12:41
當然是有國家組織提供資料啦
你睇下人地台灣論壇比人洗版洗到成1000樓(你可以一路睇番前面的文章)
http://www.pcdvd.com.tw/showthre ... ;page=100&pp=10
就係不斷用類似的資料庫資料來洗版
不斷比論壇站長砍帳號, 然後又開分身回去貼文, 又砍帳號, 又開分身貼文.......
你估真係有睇和分析咁多新聞同資料咩
作者: rhino 時間: 2017-1-21 15:07
當然是有國家組織提供資料啦
你睇下人地台灣論壇比人洗版洗到成1000樓(你可以一路睇番前面的文章)
就係 ...
Tenzin 發表於 2017-1-21 14:56
睇咗幾頁之後，真係大開眼界。 不過日日食春藥的話，最終係起唔到頭打唔到機㗎。
作者: palmtree 時間: 2017-1-21 17:42
本帖最後由 palmtree 於 2017-1-21 18:05 編輯
王助
https://zh.wikipedia.org/wiki/%E7%8E%8B%E5%8A%A9
王安電腦的興衰
http://blog.linux.org.tw/~jserv/archives/001393.html
青天白日旗下民國海軍的波濤起伏(1912-1945)
https://books.google.com.hk/book ... 8%97%BB&f=false
國民黨仍存在中國良心 , 而非 空心綠菜 吧
任何經濟 離不開供求 解決生活 只能靠自己 , 今天建造業人工高於白領
土農發展 就是如此 人的基本生活要求 推銷過度成騙局
兩岸三地 百年發展成見證
EVGA 與 ASUS 的 選擇, 我要 ASUS
大國中 工業化 4.0 涉及 宏觀產業 經濟發展
作者: Tenzin 時間: 2017-1-21 18:05
睇咗幾頁之後，真係大開眼界。 不過日日食春藥的話，最終係起唔到頭打唔到機㗎。 ...
rhino 發表於 2017-1-21 15:07
你當然唔係佢要的果類目標人物, 我諗佢D春藥你都唔會食
佢的目標係果D唔多用腦, 大話講一百次就信係真的果種人
作者: palmtree 時間: 2017-1-21 18:08
本帖最後由 palmtree 於 2017-1-21 18:18 編輯
期待 消費者 更多 選擇 , 而非獨家式壟斷 , 沒有競爭沒有進步
當年 <<<all c>>> 黑牌 白牌顆粒 市場 亂哂籠 消費者成水魚 如此糟糕的產品 也可被神化 , 希望騙局不可再
作者: jasonlee1023 時間: 2017-1-27 12:11
不久的將來，會唔會好看1蚊1g？
