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中國三大陣營 2018 年投入 DRAM 試產 預計 2019 年將成為中國記憶體生產元年
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DRAMeXchange 記憶體儲存研究指出,中國記憶體產業目前以長江存儲、合肥長鑫以及晉華集成三大陣營為主,以目前的進度來看,其試產時間預計將在 2018 年下半年,隨著三大陣營的量產的時間可能皆落在 2019 年上半年,揭示著 2019 年將成為中國記憶體生產元年。

合肥長鑫的廠房已於去年 6 月封頂完工,去年第三季開始移入測試用機台,試產時程將會落於今年第三季,量產則暫定在 2019 年的上半年。此外,由於合肥長鑫直攻三大 DRAM 廠最重要產品之一的 LPDDR4 8Gb,之後面臨專利爭議的可能性也較高,為了避免此一狀況,除了積極累積的專利權外,初期可能將鎖定於中國銷售。

另外,專注於利基型記憶的晉華集成,在 2016 年 7 月宣布於福建省晉江市建 12 吋廠,投資金額約 53 億美元,以目前進度來看,其利基型記憶體的試產延後至今年第三季度,量產時程也將落在明年上半年。
2 x 16GB / 4 x 8GB DDR4-3466 套裝 CORSAIR Dominator Platinum  特別版 CONTRAST
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CORSAIR 最新宣佈推出全新 Dominator Platinum 特別版 CONTRAST DDR4 記憶體,Dominator Platinum 特別版 CONTRAST 以優雅的高對比度珍珠白色和高光黑色設計,並在頂端用上白色的 LED 突出重點,將純淨的標誌性 Dominant Platinum 系列與清晰的單色外觀相結合。

CORSAIR Dominator Platinum 特別版 CONTRAST 記憶體在性能方面非常出色,提供 32GB 容量,備有雙通道及四通道套裝可供選擇,支援 DDR4-3,466MHz,使用經 CORSAIR 特別篩選的 Samsung 記憶體模組,可將最新的 Intel 平台的效能推向極限,Dominator Platinum結合業界領先的10層PCB及專利的 DHX 散熱技術,讓記憶體的性能進一步提高。
讀寫速度高達 1500MB/s、1000MB/s Kingston 入門級 A1000 PCIe NVMe SSD
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Kingston 最新宣布推出全新 A1000 PCIe NVM e固態硬碟,其 M.2 規格的 A1000 為 Kingston 第一支採用 3D NAND Flash 記憶體的消費級入門款 PCIe NVMe 固態硬碟,以接近 SATA 級別的超值價格提供一般 SATA 介面雙倍的速度表現。

Kingston A1000 PCIe NVMe SSD 以 M.2 2280 外觀設計 ,尺寸為 22 cm x 80 cm,適用於空間受限的輕薄筆電及系統。搭配 Gen 3.0 x2 介面、四通道 Phison 5008 控制晶片以及 3D NAND 快閃記憶體,效能表現比傳統 SATA 固態硬碟的優勝兩倍,其讀取速度高達 1500MB/s,寫入速度則高達 1000MB/s,A1000 並擁有卓越的反應和極低延遲。

Kingston 最新宣布推出全新 A1000 PCIe NVM e固態硬碟,其 M.2 規格的 A1000 為 Kingston 第一支採用 3D NAND Flash 記憶體的消費級入門款 PCIe NVMe 固態硬碟,以接近 SATA 級別的超值價格提供一般 SATA 介面雙倍的速度表現。
對於中國晶片製造商崛起並不擔心 Samsung:短期內依然有一段距離
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近年中國在研發技術上不斷成長,希望能夠追得上外國廠商的步伐,例如在記憶體領域方面,已成為全球輸出1/5記憶體的國家,儘管分析人士對中國記憶體產業的入局看好,Samsung 近日接受韓國雜誌“Investor” 訪問時稱,對於中國晶片製造商崛起並不擔心。

就利潤而言,韓國公司 Samsung 是全球最大的晶片製造商,其次是美國公司Intel,但中國半導體市場正在蓬勃發展,2017年,華為子公司海思半導體盈利估計為 260億人民幣(約合38.7億美元)。中國在DRAM和NAND Flash 方面亦正在成長,紫光儲存更已經拿出了DDR3成品,早前更有消息指將會為Intel 旗下的SSD提供核心資源。

但這是否令 Samsung 擔心?根據 Samsung 設備解決方案部門負責人 Kim Ki-nam 的說法,「完全沒有」。
256GB 記憶體不是夢 Samsung 發佈單條 64GB DDR4 記憶體
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Samsung 在剛剛舉行的 Open Compute Project 2018 峰會上,隆重展示了旗下全新為數據中心而設,容量高達 64GB 的 DDR4 記憶體,基於 Samsung 最新 16Gb (2GB) 顆粒,該設計還能夠為未來的高性能伺服器提供 128GB 及 256GB 記憶體模組。

Samsung 全新展示的 64GB DDR4 記憶體基於標準的 1.2V 電源,基於 16GB DDR4-2666MHz DRAM 晶片,屬於面向主流伺服器的 RDIMM 類型,顆粒製造工藝非常先進但未具體披露 (應該就是 10nm 級別),號稱功耗比此前的 8Gb 顆粒降低了 20%。該組 64GB 記憶體採用雙 Rank 配置,Samsung 亦正在開發 4 Rank 128GB RDIMM、8 Rank 256GB LRDIMM。

Samsung 指出,由於 AMD EPYC 系列及 Intel Xeon Scalable M 系列處理器可以同時管理 12 或 16 組記憶體插槽,因此可以在下一代處理器支援高達 4TB 容量的記憶體,Samsung 亦展示了搭配 Intel Xeon、AMD EPYC 處理器使用的平台,若果插滿 256GB 記憶體模組的話,單路總容量分別可達 3TB、4TB。
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